Poprosić o wycenę |
Dom Produktygan epitaxial wafer producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

gan epitaxial wafer produkcja online

(84)
kupować 4 cali 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Rezystywność≥1E9Ω·Cm Dla mocy mikrofalowej w Internecie producent

4 cali 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Rezystywność≥1E9Ω·Cm Dla mocy mikrofalowej
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupować Chropowatość tylnej powierzchni 0,8 um do 1,2 um Wzorzyste podłoża szafirowe Szerokość 16 mm w Internecie producent

Chropowatość tylnej powierzchni 0,8 um do 1,2 um Wzorzyste podłoża szafirowe Szerokość 16 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 16:46:21
kupować Kąt płaskiej krawędzi 16 mm Wzorzyste podłoże szafirowe Przednia powierzchnia w Internecie producent

Kąt płaskiej krawędzi 16 mm Wzorzyste podłoże szafirowe Przednia powierzchnia
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-09 10:43:37
kupować Wzorzyste 2-calowe szafirowe podłoża Podłoże chipowe LED 50,80 mm w Internecie producent

Wzorzyste 2-calowe szafirowe podłoża Podłoże chipowe LED 50,80 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-09 10:43:12
Page 9 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.