Poprosić o wycenę |
Dom Produktygan epitaxial wafer producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

gan epitaxial wafer produkcja online

(84)
kupować GaN 2-calowy nitrid galium jednokrystaliczny w Internecie producent

GaN 2-calowy nitrid galium jednokrystaliczny
Kontakt

Czytaj więcej
2024-12-06 17:45:14
kupować 4-calowy dopingowany wolnostojący substrat GaN azotyn galliowy w Internecie producent

4-calowy dopingowany wolnostojący substrat GaN azotyn galliowy
Kontakt

Czytaj więcej
2024-12-06 17:42:36
kupować 5*10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowane N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 0.1 Ω·cm Opór dla urządzenia zasilania w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowane N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 0.1 Ω·cm Opór dla urządzenia zasilania
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować 10 X 10,5 mm2 C Twarz Niedopingowana N Typ wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny w Internecie producent

10 X 10,5 mm2 C Twarz Niedopingowana N Typ wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupować Urządzenie zasilania 5x10mm2 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o rezystywności 0,1 Ω·cm i BOW w zakresie 10μm w Internecie producent

Urządzenie zasilania 5x10mm2 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o rezystywności 0,1 Ω·cm i BOW w zakresie 10μm
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um w Internecie producent

SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-08 16:41:01
kupować Podłoże typu SiC N w Internecie producent

Podłoże typu SiC N
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-09 16:57:15
kupować A Plane Sapphire Substrate Wafel Grubość 440um OF Długość (mm) 16 Chip LED w Internecie producent

A Plane Sapphire Substrate Wafel Grubość 440um OF Długość (mm) 16 Chip LED
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 16:24:09
kupować Thk 430um Sapphire Substrat Orientacja kryształów C/M0.2 w Internecie producent

Thk 430um Sapphire Substrat Orientacja kryształów C/M0.2
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 10:18:05
kupować 0,6 mm 0,8 mm Ga2O3 Pojedyncze polerowanie podłoża monokrystalicznego w Internecie producent

0,6 mm 0,8 mm Ga2O3 Pojedyncze polerowanie podłoża monokrystalicznego
Kontakt

Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
Page 8 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.