Poprosić o wycenę |
Dom Produktygan epitaxial wafer producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

gan epitaxial wafer produkcja online

(84)
kupować Wolnostojący monokrystaliczny monokrystaliczny substrat GaN typu N typu A bez domieszki w Internecie producent

Wolnostojący monokrystaliczny monokrystaliczny substrat GaN typu N typu A bez domieszki
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 11:02:58
kupować Półprzewodnikowy półprzewodnikowy azotek galu z pojedynczym kryształem TTV 10um w Internecie producent

Półprzewodnikowy półprzewodnikowy azotek galu z pojedynczym kryształem TTV 10um
Kontakt

Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:57
kupować 10 X 10,5 mm2 Wolno stojące podłoża GaN - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm w Internecie producent

10 X 10,5 mm2 Wolno stojące podłoża GaN - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupować 2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF w Internecie producent

2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:44
kupować 10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Makro Defect Density 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Rezystywność 106 Ω·Cm Urządzenia RF Wafer w Internecie producent

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Makro Defect Density 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Rezystywność 106 Ω·Cm Urządzenia RF Wafer
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować 5*10mm2 M-Face bez domieszki typu N, wolnostojący GaN monokrystaliczny Rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser w Internecie producent

5*10mm2 M-Face bez domieszki typu N, wolnostojący GaN monokrystaliczny Rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:38
kupować 10*10,5 mm2 GaN Single Crystal Substrat Grubość 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm w Internecie producent

10*10,5 mm2 GaN Single Crystal Substrat Grubość 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:27
kupować 5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża &gt; 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:36
kupować 5*10mm2 A-face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny substrat GaN typu n Rezystywność &lt; 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser w Internecie producent

5*10mm2 A-face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny substrat GaN typu n Rezystywność < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:36
kupować 10*10,5 mm2 GaN Pojedyncze podłoże kryształowe Płaszczyzna C (0001) Kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ± 0,15° w Internecie producent

10*10,5 mm2 GaN Pojedyncze podłoże kryształowe Płaszczyzna C (0001) Kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ± 0,15°
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:30
Page 5 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.