Poprosić o wycenę |
Dom Produktygan epitaxial wafer producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

gan epitaxial wafer produkcja online

(84)
kupować Grubość bufora AlGaN 600nm 2-calowy GaN z niebieską diodą LED na płytce krzemowej w Internecie producent

Grubość bufora AlGaN 600nm 2-calowy GaN z niebieską diodą LED na płytce krzemowej
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:42:47
kupować 4-calowy GaN na szafirowym waflu Niebiesko-zielony wafel LED Płaskie szafirowe 100 mm w Internecie producent

4-calowy GaN na szafirowym waflu Niebiesko-zielony wafel LED Płaskie szafirowe 100 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-08 17:16:14
kupować 5*10mm2 A-Face bez domieszki wolnostojący monokrystaliczny GaN typu SI wolnostojący rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF Wafel w Internecie producent

5*10mm2 A-Face bez domieszki wolnostojący monokrystaliczny GaN typu SI wolnostojący rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF Wafel
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:31
kupować Gęstość defektów makro 0cm−2 Niezdopatowany SI-typ wolnostojący podłoże jednokrystaliczny GaN dla urządzeń RF 5*10mm2 M-Face w Internecie producent

Gęstość defektów makro 0cm−2 Niezdopatowany SI-typ wolnostojący podłoże jednokrystaliczny GaN dla urządzeń RF 5*10mm2 M-Face
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować 5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶Ω·Cm Urządzenie RF w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶Ω·Cm Urządzenie RF
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:33
kupować 2 cali GaN na krzemowej HEMT Epi płytki do urządzenia zasilania w Internecie producent

2 cali GaN na krzemowej HEMT Epi płytki do urządzenia zasilania
Kontakt

Czytaj więcej
2024-12-06 17:40:06
kupować Grubość płytki z azotku galu GaN 325um - 375um Wolnostojący w Internecie producent

Grubość płytki z azotku galu GaN 325um - 375um Wolnostojący
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-08 17:00:13
kupować 2-calowe podłoża U GaN Podłoża SI GaN 50,8 mm w Internecie producent

2-calowe podłoża U GaN Podłoża SI GaN 50,8 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2024-10-14 17:06:30
kupować Podłoża GaN Ga Chropowatość powierzchni czołowej < 0,2 nm (polerowana) lub < 0,3 nm (polerowana i obróbka powierzchni do epitaksji) w Internecie producent

Podłoża GaN Ga Chropowatość powierzchni czołowej < 0,2 nm (polerowana) lub < 0,3 nm (polerowana i obróbka powierzchni do epitaksji)
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:42:49
kupować 2-calowy wolnostojący półprzewodnikowy wafel z azotku galu o średnicy 50,8 mm w Internecie producent

2-calowy wolnostojący półprzewodnikowy wafel z azotku galu o średnicy 50,8 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-08 17:22:16
Page 6 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.