Poprosić o wycenę |
Dom Produktygan epitaxial wafer producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

gan epitaxial wafer produkcja online

(84)
kupować Chropowatość powierzchni czołowej GaN na podłożu GaN z płytki krzemowej w Internecie producent

Chropowatość powierzchni czołowej GaN na podłożu GaN z płytki krzemowej
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-08 17:19:48
kupować Wafel z monokrystalicznego azotku galu GaN typu SI w Internecie producent

Wafel z monokrystalicznego azotku galu GaN typu SI
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-08 15:51:24
kupować Niedomieszkowane podłoże monokrystaliczne typu N GaN 5x10mm2 M Face w Internecie producent

Niedomieszkowane podłoże monokrystaliczne typu N GaN 5x10mm2 M Face
Kontakt

Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:57
kupować 350 ± 25 μm Grubość Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o TTV ≤ 10 μm i rezystywności 0,1 Ω·cm w Internecie producent

350 ± 25 μm Grubość Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o TTV ≤ 10 μm i rezystywności 0,1 Ω·cm
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować Podłoże GaN na powierzchni czołowej C w Internecie producent

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-09 17:03:25
kupować Grubość 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN w Internecie producent

Grubość 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:28
kupować TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Opór 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilanie/laser W w Internecie producent

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Opór 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilanie/laser W
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować 5x10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, podłoże jednokrystaliczne GaN o TTV ≤ 10μm, rezystywność 0,05 Ω·cm w Internecie producent

5x10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, podłoże jednokrystaliczne GaN o TTV ≤ 10μm, rezystywność 0,05 Ω·cm
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować SP-Face 11-12 Niedopingany N-typ Wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny Rezystywność 0,05 Ω·cm Gęstość defektów makro 0cm−2 w Internecie producent

SP-Face 11-12 Niedopingany N-typ Wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny Rezystywność 0,05 Ω·cm Gęstość defektów makro 0cm−2
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować 5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Opór 0,05 Ω·cm w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Opór 0,05 Ω·cm
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
Page 7 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.