Poprosić o wycenę |
Dom Produktyn type silicon epi wafer producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

n type silicon epi wafer produkcja online

(22)
kupić Mikroelektroniczny 279um krzemowy epitaksjalny wafel podstawowy substrat w Internecie producent

Mikroelektroniczny 279um krzemowy epitaksjalny wafel podstawowy substrat
Kontakt

Thickness(μm)279 Silicon Wafer TTV(μm) Standard Czytaj więcej
2022-09-27 16:51:53
kupić 2-calowy półprzewodnikowy wafel krzemowy o grubości 279 μm w Internecie producent

2-calowy półprzewodnikowy wafel krzemowy o grubości 279 μm
Kontakt

2-Inch Silicon Wafer Thickness(μm)279 Resistivity 0.001-100 Ohm-cm 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Few of us have a chance to encounter ... Czytaj więcej
2022-09-27 16:54:31
kupić 2 cali GaN na krzemowej HEMT Epi płytki do urządzenia zasilania w Internecie producent

2 cali GaN na krzemowej HEMT Epi płytki do urządzenia zasilania
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:40:06
kupić Fioletowy laser GaN na krzemowym 2 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer w Internecie producent

Fioletowy laser GaN na krzemowym 2 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:35:32
kupić Bariera AlGaN 4 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer nitryd galiowy GaN-on-Si w Internecie producent

Bariera AlGaN 4 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer nitryd galiowy GaN-on-Si
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:33:44
kupić 6 cali GaN na krzemowym HEMT Epi Wafer Urządzenie zasilanie azotanu galium GaN na Si w Internecie producent

6 cali GaN na krzemowym HEMT Epi Wafer Urządzenie zasilanie azotanu galium GaN na Si
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:38:23
kupić 2 cali GaN na krzemowym Blue LD Epi wafer GaN niebieski laser na krzemowym w Internecie producent

2 cali GaN na krzemowym Blue LD Epi wafer GaN niebieski laser na krzemowym
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:35:32
kupić 2 ′′ 6-calowy N-typ GaN Na Sapphire Epitaxial Wafer dla urządzenia LED Laser PIN w Internecie producent

2 ′′ 6-calowy N-typ GaN Na Sapphire Epitaxial Wafer dla urządzenia LED Laser PIN
Kontakt

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:48:43
kupić Grubość 370um 430um 2 cale GaN Epi Wymiary wafla 50mm w Internecie producent

Grubość 370um 430um 2 cale GaN Epi Wymiary wafla 50mm
Kontakt

Thickness 400 ± 30 μm 2-Inch Free-Standing N-GaN Substrates Dimensions 50.0 ±0.3 mm 2inch C-face Si-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:57
kupić Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm w Internecie producent

Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm
Kontakt

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.