 |
6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um2022-10-24 10:21:10 |
|
|
Podłoże typu SiC N2022-10-09 16:57:15 |
|
|
Podłoże 350um 4H SiC2022-10-09 16:57:57 |
|
|
100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Grade Politype 4H2022-10-09 10:12:00 |
|
|
4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4" P Grade Si Face2022-09-27 17:01:35 |
|
|
100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 18,0 mm2022-09-27 17:01:26 |
|
|
0,015ohm.cm do 0,028ohm.cm Kryształ węglika krzemu typu N.2022-09-27 17:01:16 |
|
|
Podstawowa płaska długość 32,5 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 100,0 mm2022-09-27 17:01:05 |
|
|
