|
|
Urządzenia dyskretne 2-calowa grubość płytki krzemowej 675um 725um 775um2022-09-27 16:50:52 |
|
|
Urządzenia dyskretne Podłoża Si P/E P/P E/E G/G Wykończenie powierzchni2022-09-27 16:53:50 |
|
|
2-calowe podłoże SiC 350μm dla wymagających energoelektroniki2024-10-29 11:49:58 |
|
|
Metoda wzrostu CZ Wafel krzemowy 5" Orientacja<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>2022-09-27 16:53:40 |
|
|
Prime 2'' Silicon Wafel Standard2022-09-27 16:52:11 |
|
|
6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um2022-10-24 10:21:10 |
|
|
Podłoże typu SiC N2022-10-09 16:57:15 |
|
|
100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Grade Politype 4H2022-10-09 10:12:00 |
|
|
0,015ohm.cm do 0,028ohm.cm Kryształ węglika krzemu typu N.2022-09-27 17:01:16 |