Wyślij wiadomość
Poprosić o wycenę |
Dom Produktyp type silicon substrate producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(61)

Wafel epitaksjalny Sic

(28)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

p type silicon substrate produkcja online

(45)
kupować JDCD06-001-003 4-calowe urządzenia MEMS z płytką krzemową, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych w Internecie producent

JDCD06-001-003 4-calowe urządzenia MEMS z płytką krzemową, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 11:57:25
kupować JDCD06-001-004 5-calowe urządzenia MEMS z płytką krzemową, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych w Internecie producent

JDCD06-001-004 5-calowe urządzenia MEMS z płytką krzemową, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 11:59:11
kupować JDCD06-001-005 6-calowe urządzenia MEMS z płytką krzemową, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych w Internecie producent

JDCD06-001-005 6-calowe urządzenia MEMS z płytką krzemową, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 12:00:11
kupować JDCD06-001-007 12-calowe urządzenia MEMS z płytkami krzemowymi, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych w Internecie producent

JDCD06-001-007 12-calowe urządzenia MEMS z płytkami krzemowymi, układy scalone, podłoża dedykowane do urządzeń dyskretnych
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 12:01:45
kupować 4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel w Internecie producent

4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel
Kontakt

Czytaj więcej
2023-03-23 18:00:45
kupować 6-calowy wafel epitaksjalny SiC w Internecie producent

6-calowy wafel epitaksjalny SiC
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-09 16:56:20
kupować 47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1° w Internecie producent

47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1°
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 15:11:59
kupować Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm w Internecie producent

Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 15:19:25
kupować JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6 &quot;klasa P w Internecie producent

JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6 "klasa P
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-29 15:53:31
kupować JDCD07-001-002 5-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS w Internecie producent

JDCD07-001-002 5-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS
Kontakt

Czytaj więcej
2023-04-23 15:36:53
Page 4 of 5|< 1 2 3 4 5 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2024 epi-wafers.com. All Rights Reserved.