Poprosić o wycenę |
Dom Produktyp type silicon substrate producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

p type silicon substrate produkcja online

(46)
kupować JDCD07-001-002 5-calowa płytka epitaksyalna SOI do przetwarzania MEMS w Internecie producent

JDCD07-001-002 5-calowa płytka epitaksyalna SOI do przetwarzania MEMS
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupować JDCD07-001-003 6-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS w Internecie producent

JDCD07-001-003 6-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:42:31
kupować JDCD07-001-004 7-calowa płytka epitaksyalna SOI do przetwarzania MEMS w Internecie producent

JDCD07-001-004 7-calowa płytka epitaksyalna SOI do przetwarzania MEMS
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupować JDCD07-001-001 4-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS w Internecie producent

JDCD07-001-001 4-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupować 775um 725um 675um 8-calowe półprzewodnikowe urządzenia półprzewodnikowe w Internecie producent

775um 725um 675um 8-calowe półprzewodnikowe urządzenia półprzewodnikowe
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 16:50:19
kupować Grubość 370um 430um 2 cale GaN Epi Wymiary wafla 50mm w Internecie producent

Grubość 370um 430um 2 cale GaN Epi Wymiary wafla 50mm
Kontakt

Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:57
Page 5 of 5|< 1 2 3 4 5 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.