Poprosić o wycenę |
Dom Produktyfree standing gan substrates producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

free standing gan substrates produkcja online

(57)
kupować Niedomieszkowany GaN epitaksjalny wafel M Wolnostojące podłoża GaN w Internecie producent

Niedomieszkowany GaN epitaksjalny wafel M Wolnostojące podłoża GaN
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 10:52:50
kupować 10 X 10,5 mm2 Wolno stojące podłoża GaN - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm w Internecie producent

10 X 10,5 mm2 Wolno stojące podłoża GaN - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupować Grubość 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN w Internecie producent

Grubość 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:28
kupować Wolnostojące podłoża GaN z epitaksjalnymi płytkami A Face GaN w Internecie producent

Wolnostojące podłoża GaN z epitaksjalnymi płytkami A Face GaN
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 10:57:06
kupować 2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN w Internecie producent

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN
Kontakt

Czytaj więcej
2024-10-14 17:06:30
kupować M Face GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża GaN 325um TTV 10um w Internecie producent

M Face GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża GaN 325um TTV 10um
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-08 17:04:46
kupować 10 X 10,5 mm2 C Twarz Niedopingowana N Typ wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny w Internecie producent

10 X 10,5 mm2 C Twarz Niedopingowana N Typ wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupować Gęstość defektów makro 0cm−2 Niezdopatowany SI-typ wolnostojący podłoże jednokrystaliczny GaN dla urządzeń RF 5*10mm2 M-Face w Internecie producent

Gęstość defektów makro 0cm−2 Niezdopatowany SI-typ wolnostojący podłoże jednokrystaliczny GaN dla urządzeń RF 5*10mm2 M-Face
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Opór 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilanie/laser W w Internecie producent

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Opór 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilanie/laser W
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować 5x10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, podłoże jednokrystaliczne GaN o TTV ≤ 10μm, rezystywność 0,05 Ω·cm w Internecie producent

5x10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, podłoże jednokrystaliczne GaN o TTV ≤ 10μm, rezystywność 0,05 Ω·cm
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
Page 1 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.