Poprosić o wycenę |
Dom Produktyfree standing gan substrates producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

free standing gan substrates produkcja online

(57)
kupić Wolnostojący wafel epitaksjalny U / SI GaN 50,8 mm 350 um w Internecie producent

Wolnostojący wafel epitaksjalny U / SI GaN 50,8 mm 350 um
Kontakt

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 50.8 ± 1 mm 350 ± 25 μm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Czytaj więcej
2022-10-08 17:12:14
kupić Urządzenie zasilania 5x10mm2 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o rezystywności 0,1 Ω·cm i BOW w zakresie 10μm w Internecie producent

Urządzenie zasilania 5x10mm2 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o rezystywności 0,1 Ω·cm i BOW w zakresie 10μm
Kontakt

5*10mm2 SP-face (11-12) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device Overview Since the 1990s, it has been used commonly in light emitting diodes (LED). Gallium ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić SP-Face 11-12 Niedopingany N-typ Wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny Rezystywność 0,05 Ω·cm Gęstość defektów makro 0cm−2 w Internecie producent

SP-Face 11-12 Niedopingany N-typ Wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny Rezystywność 0,05 Ω·cm Gęstość defektów makro 0cm−2
Kontakt

5*10mm2 SP-face (11-12) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Because GaN transistors are able to turn on faster than silicon ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić 5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Opór 0,05 Ω·cm w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Opór 0,05 Ω·cm
Kontakt

5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview A generative adversarial network (GAN) has two parts: The ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność &gt; 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF w Internecie producent

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF
Kontakt

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:57
kupić 2-calowe podłoża U GaN Podłoża SI GaN 50,8 mm w Internecie producent

2-calowe podłoża U GaN Podłoża SI GaN 50,8 mm
Kontakt

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 350 ± 25 μm 50.8 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN Template ... Czytaj więcej
2024-10-14 17:06:30
kupić 2-calowy wolnostojący półprzewodnikowy wafel z azotku galu o średnicy 50,8 mm w Internecie producent

2-calowy wolnostojący półprzewodnikowy wafel z azotku galu o średnicy 50,8 mm
Kontakt

50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... Czytaj więcej
2022-10-08 17:22:16
kupić 10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Makro Defect Density 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Rezystywność 106 Ω·Cm Urządzenia RF Wafer w Internecie producent

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Makro Defect Density 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Rezystywność 106 Ω·Cm Urządzenia RF Wafer
Kontakt

10*10.5mm2 C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview We sell directly from the factory, and therefore can offer the best prices on the ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić Wolnostojące podłoża N GaN N Chropowatość powierzchni czołowej 0,5um do 1,5um w Internecie producent

Wolnostojące podłoża N GaN N Chropowatość powierzchni czołowej 0,5um do 1,5um
Kontakt

2-Inch Free-Standing N-GaN Substrates N Face Surface Roughness 0.5 ~1.5 μm (Single Side Polished) 2inch C-face Si-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device... Czytaj więcej
2022-10-08 17:14:45
kupić Podłoże GaN na powierzchni czołowej C w Internecie producent

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C
Kontakt

2inch C-face Si-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has excellent material characteristics for use in power devices, including a ... Czytaj więcej
2022-10-09 17:03:25
Page 2 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.