Poprosić o wycenę |
Dom Produktyfree standing gan substrates producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

free standing gan substrates produkcja online

(57)
kupić Wolnostojący monokrystaliczny monokrystaliczny substrat GaN typu N typu A bez domieszki w Internecie producent

Wolnostojący monokrystaliczny monokrystaliczny substrat GaN typu N typu A bez domieszki
Kontakt

5*10.5mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Power density is greatly improved in gallium nitride devices compared to ... Czytaj więcej
2023-02-17 11:02:58
kupić 5*10mm2 M-Face bez domieszki typu N, wolnostojący GaN monokrystaliczny Rezystywność podłoża &lt; 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser w Internecie producent

5*10mm2 M-Face bez domieszki typu N, wolnostojący GaN monokrystaliczny Rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser
Kontakt

5*10mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview These GaN wafers realize unprecedented ultra-bright laser diodes and high... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:38
kupić Podłoża GaN Ga Chropowatość powierzchni czołowej &lt; 0,2 nm (polerowana) lub &lt; 0,3 nm (polerowana i obróbka powierzchni do epitaksji) w Internecie producent

Podłoża GaN Ga Chropowatość powierzchni czołowej < 0,2 nm (polerowana) lub < 0,3 nm (polerowana i obróbka powierzchni do epitaksji)
Kontakt

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview We provide high-quality GaN substrates which are produced by originally designed ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:42:49
kupić 5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża &gt; 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF
Kontakt

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Now a new material called Gallium Nitride (GaN) has the potential to replace silicon ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:36
kupić 5*10mm2 A-face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny substrat GaN typu n Rezystywność &lt; 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser w Internecie producent

5*10mm2 A-face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny substrat GaN typu n Rezystywność < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser
Kontakt

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Power density is greatly improved in gallium nitride devices compared to ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:36
kupić 350 ± 25 μm Grubość Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o TTV ≤ 10 μm i rezystywności 0,1 Ω·cm w Internecie producent

350 ± 25 μm Grubość Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o TTV ≤ 10 μm i rezystywności 0,1 Ω·cm
Kontakt

5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić 5*10mm2 A-Face bez domieszki wolnostojący monokrystaliczny GaN typu SI wolnostojący rezystywność podłoża &gt; 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF Wafel w Internecie producent

5*10mm2 A-Face bez domieszki wolnostojący monokrystaliczny GaN typu SI wolnostojący rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF Wafel
Kontakt

5*10mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Thin Epi wafers are commonly used for leading edge MOS devices. Thick Epi or Multi... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:31
kupić 5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża &gt; 10⁶Ω·Cm Urządzenie RF w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶Ω·Cm Urządzenie RF
Kontakt

5*10mm2 SP-face (11-12) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview The GaN semiconductor device market includes key companies such as Cree, ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:33
kupić 5*10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowane N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 0.1 Ω·cm Opór dla urządzenia zasilania w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowane N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 0.1 Ω·cm Opór dla urządzenia zasilania
Kontakt

5*10.5mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Generative adversarial networks (GANs) are algorithmic architectures that use ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić 2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża &gt; 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF w Internecie producent

2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF
Kontakt

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices Overview Gallium Nitride (GaN) epitaxial wafers (epi-wafers). GaN high-electron-mobility transistors ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:44
Page 3 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.