Poprosić o wycenę |
Dom Produktyfree standing gan substrates producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

free standing gan substrates produkcja online

(57)
kupić JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Wolnostojący Ga2O3 Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie w Internecie producent

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Wolnostojący Ga2O3 Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie
Kontakt

10x10mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 1.53E+18Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Wolnostojący Ga2O3 z domieszką Sn Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie w Internecie producent

JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Wolnostojący Ga2O3 z domieszką Sn Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie
Kontakt

10x10mm2 (-201) Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Resistance Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Jednokrystaliczny podłoże Produkty klasy pojedynczego polerowania w Internecie producent

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Jednokrystaliczny podłoże Produkty klasy pojedynczego polerowania
Kontakt

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić 4-calowy dopingowany wolnostojący substrat GaN azotyn galliowy w Internecie producent

4-calowy dopingowany wolnostojący substrat GaN azotyn galliowy
Kontakt

Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate 4-inch iron doped gallium nitride (GaN) single crystal substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:42:36
kupić Chropowatość powierzchni czołowej GaN na podłożu GaN z płytki krzemowej w Internecie producent

Chropowatość powierzchni czołowej GaN na podłożu GaN z płytki krzemowej
Kontakt

M Face Free-Standing GaN Substrates Front Surface Roughness < 0.2 Nm (Polished) Or < 0.3 nm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser ... Czytaj więcej
2022-10-08 17:19:48
kupić 2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący w Internecie producent

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący
Kontakt

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The growth characteristics of Fe-doped GaN epitaxial layers on semi-insulating SiC (001) substrates ... Czytaj więcej
2024-10-14 17:06:30
kupić 375 um GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża U-GaN SI-GaN w Internecie producent

375 um GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża U-GaN SI-GaN
Kontakt

350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview ... Czytaj więcej
2024-11-18 19:17:19
kupić Grubość płytki z azotku galu GaN 325um - 375um Wolnostojący w Internecie producent

Grubość płytki z azotku galu GaN 325um - 375um Wolnostojący
Kontakt

5*10.5mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 M-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer The freestanding GaN ... Czytaj więcej
2022-10-08 17:00:13
kupić Jednokrystaliczna płytka Gan Epi Substrat z azotkiem galium 4 cali w Internecie producent

Jednokrystaliczna płytka Gan Epi Substrat z azotkiem galium 4 cali
Kontakt

Introduction to 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate 4-inch iron doped gallium nitride single crystal GaN substrate is a single crystal substrate made of gallium nitride (GaN) material... Czytaj więcej
2024-12-06 17:44:01
kupić SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um w Internecie producent

SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um
Kontakt

5 x 10mm2 Free-standing GaN Substrates 350 ±25 µm From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices ... Czytaj więcej
2022-10-08 16:41:01
Page 4 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.