Poprosić o wycenę |
Dom Produktyfree standing gan substrates producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

free standing gan substrates produkcja online

(57)
kupić 10*10,5 mm2 GaN Single Crystal Substrat Grubość 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm w Internecie producent

10*10,5 mm2 GaN Single Crystal Substrat Grubość 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm
Kontakt

10*10.5mm2 C-face Si-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:27
kupić 10*10,5 mm2 GaN Pojedyncze podłoże kryształowe Płaszczyzna C (0001) Kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ± 0,15° w Internecie producent

10*10,5 mm2 GaN Pojedyncze podłoże kryształowe Płaszczyzna C (0001) Kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ± 0,15°
Kontakt

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview The features are high crystalline, good uniformity, and superior surface quality. ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:30
kupić 0,6 mm 0,8 mm Ga2O3 Pojedyncze polerowanie podłoża monokrystalicznego w Internecie producent

0,6 mm 0,8 mm Ga2O3 Pojedyncze polerowanie podłoża monokrystalicznego
Kontakt

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić Jednostronnie polerowane podłoże Ga2O3 Grubość pojedynczego kryształu 0,6 mm 0,8 mm w Internecie producent

Jednostronnie polerowane podłoże Ga2O3 Grubość pojedynczego kryształu 0,6 mm 0,8 mm
Kontakt

Single side polished Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm 10x15mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0... Czytaj więcej
2023-02-17 14:30:35
kupić GaN 2-calowy nitrid galium jednokrystaliczny w Internecie producent

GaN 2-calowy nitrid galium jednokrystaliczny
Kontakt

Un-Doped Freestanding GaN Substrate 1, Overview of Gallium Nitride Single Crystal Substrate(GaN substrate) Gallium nitride single crystal substrate (GaN substrate)is an important component required in the ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:45:14
kupić Wafel półprzewodnikowy z azotku galu 325um 375um C Samolot w Internecie producent

Wafel półprzewodnikowy z azotku galu 325um 375um C Samolot
Kontakt

2-inch Free-standing SI-GaN Substrates An epitaxial wafer (also called epi wafer, epi-wafer, or epiwafer) is a wafer of semiconducting material made by epitaxial growth (epitaxy) for use in photonics, ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:57
kupić Półprzewodnikowy półprzewodnikowy azotek galu z pojedynczym kryształem TTV 10um w Internecie producent

Półprzewodnikowy półprzewodnikowy azotek galu z pojedynczym kryształem TTV 10um
Kontakt

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN substrate has a damage-free, very flat (Rms < 0.2 nm), controlled surface ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:57
Page 6 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.