 |
12,5 mm 2-calowy wolnostojący wafel N GaN Epi z domieszką Si2023-02-17 17:50:47 |
|
|
Grubość płytki z azotku galu GaN 325um - 375um Wolnostojący2022-10-08 17:00:13 |
|
|
Niedomieszkowane podłoże monokrystaliczne typu N GaN 5x10mm2 M Face2023-03-23 16:45:03 |
|
|
M Face GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża GaN 325um TTV 10um2022-10-08 17:04:46 |
|
|
Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN2022-10-09 17:04:59 |
|
|
|
|
5x10mm2 GaN płytka epitaksjalna bez domieszki typu SI2023-02-17 17:53:35 |
|
|
Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF2023-03-22 16:32:03 |
|
|
Podłoże GaN na powierzchni czołowej C2022-10-09 17:03:25 |
