Dom Produktygan producent online

Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN
(62)

Wafel epitaksjalny Sic
(28)

Wafel GaAs Epi
(15)

Podłoża diamentowe CVD
(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego
(2)

Tester czujnika efektu Halla
(3)

Płytka z azotku glinu
(21)

Układ diody laserowej
(10)

Kryształ węglika krzemu
(12)

Wafel Ga2O3
(13)

Wafel silikonowy
(26)

Szafirowy Opłatek
(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe
(10)

Uchwyt na wafle owe
(1)

Maszyna do krojenia wafli
(5)

Orzecznictwo

Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty

Im Online Czat teraz

gan produkcja online

(85)

2-calowy niebieski LED GaN na krzemowym waflu Longueur D'Onde Laser 455 ± 10 nm
Kontakt

Czytaj więcej

2023-02-17 11:40:11

Wafery epitaksyalne GaN niezbędne do produkcji chipów wysokonapięciowych o wysokiej częstotliwości
Kontakt

Czytaj więcej

2024-07-31 15:01:27

Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego Dioda laserowa 1,0 W/A
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-22 15:13:00

GaN typu N o średnicy 2 ‰ 6 cali na płytce epitaksyalnej Sapphire dla urządzenia PIN laserowego LED
Kontakt

Czytaj więcej

2024-07-31 15:01:27

SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um
Kontakt

Czytaj więcej

2022-10-08 16:41:01

Półprzewodnikowy półprzewodnikowy azotek galu z pojedynczym kryształem TTV 10um
Kontakt

Czytaj więcej

2023-02-17 17:57:41

Kąt płaskiej krawędzi 16 mm Wzorzyste podłoże szafirowe Przednia powierzchnia
Kontakt

Czytaj więcej

2022-10-09 10:43:37

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Wolnostojący Ga2O3 Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie
Kontakt

Czytaj więcej

2023-02-17 14:49:57

Wzorzysty szafirowy kryształowy wafel 2-calowy szafirowy substrat
Kontakt

Czytaj więcej

2022-10-09 10:45:33

50,80 mm Wzorzyste podłoża szafirowe 430um Samolot
Kontakt

Czytaj więcej

2022-09-27 16:47:10

Page 7 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

Płytka epitaksjalna GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Wafel GaAs Epi

Podłoża diamentowe CVD

System szybkiego wyżarzania termicznego

Tester czujnika efektu Halla

Płytka z azotku glinu

Układ diody laserowej

Kryształ węglika krzemu

Wafel Ga2O3

Wafel silikonowy

Szafirowy Opłatek

Wzorzyste podłoża szafirowe

Uchwyt na wafle owe

Maszyna do krojenia wafli

gan produkcja online

2-calowy niebieski LED GaN na krzemowym waflu Longueur D'Onde Laser 455 ± 10 nm
Kontakt

Wafery epitaksyalne GaN niezbędne do produkcji chipów wysokonapięciowych o wysokiej częstotliwości
Kontakt

Standardowy pakiet do montażu powierzchniowego Dioda laserowa 1,0 W/A
Kontakt

GaN typu N o średnicy 2 ‰ 6 cali na płytce epitaksyalnej Sapphire dla urządzenia PIN laserowego LED
Kontakt

SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um
Kontakt

Półprzewodnikowy półprzewodnikowy azotek galu z pojedynczym kryształem TTV 10um
Kontakt

Kąt płaskiej krawędzi 16 mm Wzorzyste podłoże szafirowe Przednia powierzchnia
Kontakt

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Wolnostojący Ga2O3 Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie
Kontakt

Wzorzysty szafirowy kryształowy wafel 2-calowy szafirowy substrat
Kontakt

50,80 mm Wzorzyste podłoża szafirowe 430um Samolot
Kontakt

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP