Wyślij wiadomość
Poprosić o wycenę |
Dom Produktygan producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(61)

Wafel epitaksjalny Sic

(28)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

gan produkcja online

(84)
kupować 10*10.5mm2 C-Face domieszkowany Fe wolnostojący monokrystaliczny monokrystaliczny rezystywność podłoża typu SI typu SI > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF Wafel w Internecie producent

10*10.5mm2 C-Face domieszkowany Fe wolnostojący monokrystaliczny monokrystaliczny rezystywność podłoża typu SI typu SI > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF Wafel
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:05:44
kupować 4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel w Internecie producent

4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel
Kontakt

Czytaj więcej
2024-07-31 15:01:27
kupować Grubość 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN w Internecie producent

Grubość 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:05:18
kupować 2-calowy wolnostojący półprzewodnikowy wafel z azotku galu o średnicy 50,8 mm w Internecie producent

2-calowy wolnostojący półprzewodnikowy wafel z azotku galu o średnicy 50,8 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-08 17:22:16
kupować 2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF w Internecie producent

2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF
Kontakt

Czytaj więcej
2024-07-31 15:01:27
kupować 5*10mm2 A-Face, bez domieszki, wolnostojący GaN typu N, pojedynczy kryształ, rezystywność podłoża w Internecie producent

5*10mm2 A-Face, bez domieszki, wolnostojący GaN typu N, pojedynczy kryształ, rezystywność podłoża
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:15:40
kupować 5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:18:39
kupować 5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 11:06:00
kupować 4-calowy GaN typu N z domieszką Si na płytce szafirowej Rezystywność SSP w Internecie producent

4-calowy GaN typu N z domieszką Si na płytce szafirowej Rezystywność SSP
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-08 17:33:16
kupować 10 X 10,5 mm2 C-Face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny materiał GaN typu N w Internecie producent

10 X 10,5 mm2 C-Face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny materiał GaN typu N
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:04:40
Page 4 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2024 epi-wafers.com. All Rights Reserved.