Wyślij wiadomość
Poprosić o wycenę |
Dom Produktygan producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(61)

Wafel epitaksjalny Sic

(28)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

gan produkcja online

(84)
kupować 4-calowy GaN typu P z domieszką Mg na szafirowym waflu SSP Rezystywność ~ 10Ω Cm LED Laser PIN Epitaksjalny wafel w Internecie producent

4-calowy GaN typu P z domieszką Mg na szafirowym waflu SSP Rezystywność ~ 10Ω Cm LED Laser PIN Epitaksjalny wafel
Kontakt

Czytaj więcej
2024-07-31 15:01:27
kupować 5*10mm2 A-Face bez domieszki wolnostojący monokrystaliczny GaN typu SI wolnostojący rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF Wafel w Internecie producent

5*10mm2 A-Face bez domieszki wolnostojący monokrystaliczny GaN typu SI wolnostojący rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF Wafel
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:13:01
kupować 5*10mm2 M-Face bez domieszki typu N, wolnostojący GaN monokrystaliczny Rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser w Internecie producent

5*10mm2 M-Face bez domieszki typu N, wolnostojący GaN monokrystaliczny Rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:18:59
kupować 5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża &gt; 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:17:49
kupować 5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża &gt; 10⁶Ω·Cm Urządzenie RF w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶Ω·Cm Urządzenie RF
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:13:23
kupować 5*10mm2 SP-Face (20-21)/(20-2-1) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża &lt; 0,1 Ω·cm w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (20-21)/(20-2-1) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,1 Ω·cm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:16:01
kupować 10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN - 10 µm ≤ ŁUK ≤ 10 µm w Internecie producent

10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN - 10 µm ≤ ŁUK ≤ 10 µm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:08:55
kupować 10*10,5 mm2 GaN Pojedyncze podłoże kryształowe Płaszczyzna C (0001) Kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ± 0,15° w Internecie producent

10*10,5 mm2 GaN Pojedyncze podłoże kryształowe Płaszczyzna C (0001) Kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ± 0,15°
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:06:26
kupować 10*10,5 mm2 GaN Single Crystal Substrat Grubość 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm w Internecie producent

10*10,5 mm2 GaN Single Crystal Substrat Grubość 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:04:09
kupować 5*10mm2 A-face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny substrat GaN typu n Rezystywność &lt; 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser w Internecie producent

5*10mm2 A-face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny substrat GaN typu n Rezystywność < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-25 15:17:24
Page 5 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2024 epi-wafers.com. All Rights Reserved.