Poprosić o wycenę |
Dom Produktyp type silicon substrate producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

p type silicon substrate produkcja online

(81)
kupić SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um w Internecie producent

SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um
Kontakt

5 x 10mm2 Free-standing GaN Substrates 350 ±25 µm From 1 x 105 to 3 x 106 cm-2 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices ... Czytaj więcej
2022-10-08 16:41:01
kupić 6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um w Internecie producent

6-calowy wafel typu N P MOS klasy 4H SiC Substrat 350,0 ± 25,0um
Kontakt

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:21:10
kupić 2-calowe podłoża U GaN Podłoża SI GaN 50,8 mm w Internecie producent

2-calowe podłoża U GaN Podłoża SI GaN 50,8 mm
Kontakt

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 350 ± 25 μm 50.8 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN Template ... Czytaj więcej
2024-10-14 17:06:30
kupić SP-Face 11-12 Niedopingany N-typ Wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny Rezystywność 0,05 Ω·cm Gęstość defektów makro 0cm−2 w Internecie producent

SP-Face 11-12 Niedopingany N-typ Wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny Rezystywność 0,05 Ω·cm Gęstość defektów makro 0cm−2
Kontakt

5*10mm2 SP-face (11-12) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Because GaN transistors are able to turn on faster than silicon ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić Pojedynczy kryształ GaN Epitaksjalny wafel 2-calowy C Face Un Doped N Type w Internecie producent

Pojedynczy kryształ GaN Epitaksjalny wafel 2-calowy C Face Un Doped N Type
Kontakt

2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview High-quality GaN free-standing substrates with low dislocation density suitable ... Czytaj więcej
2022-10-08 16:00:57
kupić 0,001-100 ohm-cm Płytka krzemowa typu P Domieszka boru w Internecie producent

0,001-100 ohm-cm Płytka krzemowa typu P Domieszka boru
Kontakt

0.001-100 ohm-cm Silicon Wafer Particle Czytaj więcej
2022-09-27 16:52:32
kupić Typ N Sb Typ N Jako wafel krzemowy 6 cali 8 cali w Internecie producent

Typ N Sb Typ N Jako wafel krzemowy 6 cali 8 cali
Kontakt

Growth Method CZ Silicon Wafer Standard ± 25μm,Maximum Capabilities ± 5μm 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Nearly all the electronic ... Czytaj więcej
2023-02-17 12:43:17
kupić Urządzenia dyskretne 2-calowa grubość płytki krzemowej 675um 725um 775um w Internecie producent

Urządzenia dyskretne 2-calowa grubość płytki krzemowej 675um 725um 775um
Kontakt

Discrete Devices 2-Inch Silicon Wafer Thickness(μm) 279/380/525/625/675/725/775 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Demand for semiconductor... Czytaj więcej
2022-09-27 16:50:52
kupić Podłoże typu SiC N w Internecie producent

Podłoże typu SiC N
Kontakt

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Currently silicon carbide (SiC) is widely used for ... Czytaj więcej
2022-10-09 16:57:15
kupić Wolnostojące podłoża GaN z epitaksjalnymi płytkami A Face GaN w Internecie producent

Wolnostojące podłoża GaN z epitaksjalnymi płytkami A Face GaN
Kontakt

5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Gallium Nitride ... Czytaj więcej
2023-02-17 10:57:06
Page 3 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.