Poprosić o wycenę |
Dom Produktyp type silicon substrate producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

p type silicon substrate produkcja online

(81)
kupować 100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Grade Politype 4H w Internecie producent

100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Grade Politype 4H
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-09 10:12:00
kupować 100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 18,0 mm w Internecie producent

100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 18,0 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:26
kupować Podstawowa płaska długość 32,5 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 100,0 mm w Internecie producent

Podstawowa płaska długość 32,5 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 100,0 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:05
kupować Urządzenia dyskretne Podłoża Si P/E P/P E/E G/G Wykończenie powierzchni w Internecie producent

Urządzenia dyskretne Podłoża Si P/E P/P E/E G/G Wykończenie powierzchni
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 16:53:50
kupować 6 cali 4H SiC Podłoże N Typ P SBD Klasa 350μm w Internecie producent

6 cali 4H SiC Podłoże N Typ P SBD Klasa 350μm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:23:04
kupować 5x10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, podłoże jednokrystaliczne GaN o TTV ≤ 10μm, rezystywność 0,05 Ω·cm w Internecie producent

5x10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, podłoże jednokrystaliczne GaN o TTV ≤ 10μm, rezystywność 0,05 Ω·cm
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować 5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:36
kupować Metoda wzrostu CZ Wafel krzemowy 5" Orientacja<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0> w Internecie producent

Metoda wzrostu CZ Wafel krzemowy 5" Orientacja<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 16:53:40
kupować Prime 2&#039;&#039; Silicon Wafel Standard w Internecie producent

Prime 2'' Silicon Wafel Standard
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 16:52:11
kupować CZ Silicon Semiconductor Wafel 380um 525um 625um w Internecie producent

CZ Silicon Semiconductor Wafel 380um 525um 625um
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 16:51:27
Page 5 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.