Poprosić o wycenę |
Dom Produktyp type silicon substrate producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

p type silicon substrate produkcja online

(81)
kupić 100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Grade Politype 4H w Internecie producent

100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Grade Politype 4H
Kontakt

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Czytaj więcej
2022-10-09 10:12:00
kupić 100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 18,0 mm w Internecie producent

100,0 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 18,0 mm
Kontakt

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:26
kupić Podstawowa płaska długość 32,5 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 100,0 mm w Internecie producent

Podstawowa płaska długość 32,5 mm Kryształ węglika krzemu 4 "P Klasa 100,0 mm
Kontakt

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:05
kupić Urządzenia dyskretne Podłoża Si P/E P/P E/E G/G Wykończenie powierzchni w Internecie producent

Urządzenia dyskretne Podłoża Si P/E P/P E/E G/G Wykończenie powierzchni
Kontakt

Discrete Devices 2-Inch Silicon Wafer P/E,P/P,E/E,G/G Surface Finished 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Silicon is the second most common ... Czytaj więcej
2022-09-27 16:53:50
kupić 6 cali 4H SiC Podłoże N Typ P SBD Klasa 350μm w Internecie producent

6 cali 4H SiC Podłoże N Typ P SBD Klasa 350μm
Kontakt

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Czytaj więcej
2022-10-24 10:23:04
kupić 5x10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, podłoże jednokrystaliczne GaN o TTV ≤ 10μm, rezystywność 0,05 Ω·cm w Internecie producent

5x10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, podłoże jednokrystaliczne GaN o TTV ≤ 10μm, rezystywność 0,05 Ω·cm
Kontakt

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has many serious advantages over silicon, being more power ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić 5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża &gt; 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF w Internecie producent

5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF
Kontakt

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Now a new material called Gallium Nitride (GaN) has the potential to replace silicon ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:36
kupić Metoda wzrostu CZ Wafel krzemowy 5&quot; Orientacja&lt;1-0-0&gt;,&lt;1-1-1&gt;,&lt;1-1-0&gt; w Internecie producent

Metoda wzrostu CZ Wafel krzemowy 5" Orientacja<1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0>
Kontakt

Growth Method CZ Silicon Wafer Orientation ,, 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Silicon wafers after cutting have sharp edges, and they ... Czytaj więcej
2022-09-27 16:53:40
kupić 350 ± 25 μm Grubość Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o TTV ≤ 10 μm i rezystywności 0,1 Ω·cm w Internecie producent

350 ± 25 μm Grubość Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o TTV ≤ 10 μm i rezystywności 0,1 Ω·cm
Kontakt

5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić Prime 2&#039;&#039; Silicon Wafel Standard w Internecie producent

Prime 2'' Silicon Wafel Standard
Kontakt

Prime 2" Silicon Wafer TTV(μm) Standard Czytaj więcej
2022-09-27 16:52:11
Page 5 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.