Poprosić o wycenę |
Dom Produktyp type silicon substrate producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

p type silicon substrate produkcja online

(81)
kupić JDCD07-001-002 5-calowa płytka epitaksyalna SOI do przetwarzania MEMS w Internecie producent

JDCD07-001-002 5-calowa płytka epitaksyalna SOI do przetwarzania MEMS
Kontakt

5-inch SOI epitaxial wafer for MEMS processing Overview Silicon Wafers (Si Wafer) are thin slices of highly pure crystallized Silicon. Silicon wafers act as a substrate for microelectronic devices and are ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupić 0,015 Ω•cm — 0,025 Ω•cm Wafel epitaksjalny SiC C-Face Polerowanie optyczne Si-Face CMP w Internecie producent

0,015 Ω•cm — 0,025 Ω•cm Wafel epitaksjalny SiC C-Face Polerowanie optyczne Si-Face CMP
Kontakt

0.015Ω•cm—0.025Ω•cm SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face CMP Overview A SiC wafer is a semiconductor material made of silicon. A silicon carbide wafer is a crystalline material that is made by ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić JDCD07-001-003 6-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS w Internecie producent

JDCD07-001-003 6-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS
Kontakt

6-inch SOI epitaxial wafer for MEMS processing Overview In electronics, Silicon wafers (also known as substrates) are thin slices of highly pure crystalline Silicon (c-Si), used in the production of integrated ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:42:31
kupić JDCD07-001-004 7-calowa płytka epitaksyalna SOI do przetwarzania MEMS w Internecie producent

JDCD07-001-004 7-calowa płytka epitaksyalna SOI do przetwarzania MEMS
Kontakt

7-inch SOI epitaxial wafer for MEMS processing Overview A silicon wafer is a material essential for manufacturing semiconductors, which are found in all kinds of electronic devices that enrich our lives. Few of ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupić Grubość 370um 430um 2 cale GaN Epi Wymiary wafla 50mm w Internecie producent

Grubość 370um 430um 2 cale GaN Epi Wymiary wafla 50mm
Kontakt

Thickness 400 ± 30 μm 2-Inch Free-Standing N-GaN Substrates Dimensions 50.0 ±0.3 mm 2inch C-face Si-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:57
kupić JDCD07-001-001 4-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS w Internecie producent

JDCD07-001-001 4-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS
Kontakt

4-Inch SOI Epitaxial Wafer For MEMS Processing Overview Although silicon crystals may look metallic, they are not entirely metals. Due to the "free electrons" that move easily between atoms, metals are good ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
kupić JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6 &quot;klasa P w Internecie producent

JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6 "klasa P
Kontakt

SiC ingot crystal 6" Pgrade Silicon carbide, exceedingly hard, synthetically produced crystalline compound of silicon and carbon. Its chemical formula is SiC. Since the late 19th century silicon carbide has ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:42:33
kupić Wafery epitaksyalne GaN niezbędne do produkcji chipów wysokonapięciowych o wysokiej częstotliwości w Internecie producent

Wafery epitaksyalne GaN niezbędne do produkcji chipów wysokonapięciowych o wysokiej częstotliwości
Kontakt

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:47:04
kupić 775um 725um 675um 8-calowe półprzewodnikowe urządzenia półprzewodnikowe w Internecie producent

775um 725um 675um 8-calowe półprzewodnikowe urządzenia półprzewodnikowe
Kontakt

2-Inch Silicon Wafer Thickness Tolerance Standard ± 25μm,Maximum Capabilities ± 5μm 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Nearly all the ... Czytaj więcej
2022-09-27 16:50:19
kupić JDWY01-001-002 Film o grubości 2 cali (1,2)Um AIN Na Sapphire Wafer DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec w Internecie producent

JDWY01-001-002 Film o grubości 2 cali (1,2)Um AIN Na Sapphire Wafer DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec
Kontakt

2 inch thick film (1,2)um AIN on sapphire wafer,DSP,XRD FWHM of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV disinfection, LED chip A thin film of aluminum nitride is a form of semiconductor material. It is highly ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:50
Page 8 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.