Poprosić o wycenę |
Dom Produktyp type silicon substrate producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

p type silicon substrate produkcja online

(81)
kupić 2 cali GaN na krzemowym Blue LD Epi wafer GaN niebieski laser na krzemowym w Internecie producent

2 cali GaN na krzemowym Blue LD Epi wafer GaN niebieski laser na krzemowym
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:35:32
kupić A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished Gotowy na EPI w Internecie producent

A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished Gotowy na EPI
Kontakt

A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Czytaj więcej
2023-02-17 10:18:27
kupić Wolnostojący wafel epitaksjalny U / SI GaN 50,8 mm 350 um w Internecie producent

Wolnostojący wafel epitaksjalny U / SI GaN 50,8 mm 350 um
Kontakt

2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates 50.8 ± 1 mm 350 ± 25 μm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN ... Czytaj więcej
2022-10-08 17:12:14
kupić 2-calowy wolnostojący półprzewodnikowy wafel z azotku galu o średnicy 50,8 mm w Internecie producent

2-calowy wolnostojący półprzewodnikowy wafel z azotku galu o średnicy 50,8 mm
Kontakt

50.8 ± 1 mm 2-inch Free-standing U-GaN/SI-GaN Substrates (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm 2inch C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer ... Czytaj więcej
2022-10-08 17:22:16
kupić 4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel w Internecie producent

4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel
Kontakt

4 inch P-type Mg-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity~10Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer Why Use GaN Wafers? Gallium Nitride on sapphire is the ideal material for radio energy amplification. It ... Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:47
kupić 50 mm Sapphire Wafer R9 Polerowana na lustro krawędź waflowa R9 Ready EPI Typ R w Internecie producent

50 mm Sapphire Wafer R9 Polerowana na lustro krawędź waflowa R9 Ready EPI Typ R
Kontakt

High Purity Al2O3＞99.995% R9 Mirror Polished EPI-Ready Wafer edge R-type JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate ... Czytaj więcej
2023-02-17 10:17:17
kupić 6-calowy wafel epitaksjalny SiC w Internecie producent

6-calowy wafel epitaksjalny SiC
Kontakt

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Czytaj więcej
2022-10-09 16:56:20
kupić 47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do&lt;11-20&gt;±1° w Internecie producent

47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1°
Kontakt

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm w Internecie producent

Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm
Kontakt

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić 2-calowe urządzenie zasilanie wysokiej mobilności elektronów tranzystora epitaksyjne płytki w Internecie producent

2-calowe urządzenie zasilanie wysokiej mobilności elektronów tranzystora epitaksyjne płytki
Kontakt

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Czytaj więcej
2024-12-06 17:41:10
Page 7 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.