Poprosić o wycenę |
Dom Produktyp type silicon substrate producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

p type silicon substrate produkcja online

(81)
kupić Thk 430um Sapphire Substrat Orientacja kryształów C/M0.2 w Internecie producent

Thk 430um Sapphire Substrat Orientacja kryształów C/M0.2
Kontakt

Thk 430μm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED ... Czytaj więcej
2023-02-17 10:18:05
kupić A Plane Sapphire Substrate Wafel Grubość 440um OF Długość (mm) 16 Chip LED w Internecie producent

A Plane Sapphire Substrate Wafel Grubość 440um OF Długość (mm) 16 Chip LED
Kontakt

50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 430μm OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate material ... Czytaj więcej
2022-09-27 16:24:09
kupić Wolnostojący monokrystaliczny monokrystaliczny substrat GaN typu N typu A bez domieszki w Internecie producent

Wolnostojący monokrystaliczny monokrystaliczny substrat GaN typu N typu A bez domieszki
Kontakt

5*10.5mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Power density is greatly improved in gallium nitride devices compared to ... Czytaj więcej
2023-02-17 11:02:58
kupić M Face GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża GaN 325um TTV 10um w Internecie producent

M Face GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża GaN 325um TTV 10um
Kontakt

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single-crystal substrate. ... Czytaj więcej
2022-10-08 17:04:46
kupić Optoelektronika Polerowanie Sapphire Crystal Wafer Typ R w Internecie producent

Optoelektronika Polerowanie Sapphire Crystal Wafer Typ R
Kontakt

Thk 430μm 50mm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Czytaj więcej
2023-02-17 11:22:48
kupić JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Jednokrystaliczny podłoże Produkty klasy pojedynczego polerowania w Internecie producent

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Jednokrystaliczny podłoże Produkty klasy pojedynczego polerowania
Kontakt

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić 5x10mm2 GaN płytka epitaksjalna bez domieszki typu SI w Internecie producent

5x10mm2 GaN płytka epitaksjalna bez domieszki typu SI
Kontakt

5*10mm2 Free-Standing GaN Single Crystal Substrate (20-21)/(20-2-1) Un-Doped SI-Type 5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:57
kupić Komunikacja optyczna Diody LED z arsenku galu w Internecie producent

Komunikacja optyczna Diody LED z arsenku galu
Kontakt

2inch GaAs (100) Undoped Substrates Overview Gallium arsenide is used in the manufacture of light-emitting diode s (LEDs), which are found in optical communications and control systems. Gallium arsenide can ... Czytaj więcej
2022-10-09 09:53:08
kupić 0,015ohm.cm do 0,028ohm.cm Kryształ węglika krzemu typu N. w Internecie producent

0,015ohm.cm do 0,028ohm.cm Kryształ węglika krzemu typu N.
Kontakt

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:16
kupić 4-calowa rezystywność kryształu węglika krzemu klasy P 0,015 oma. cm do 0,028 oma. cm w Internecie producent

4-calowa rezystywność kryształu węglika krzemu klasy P 0,015 oma. cm do 0,028 oma. cm
Kontakt

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Czytaj więcej
2022-09-27 17:35:24
Page 4 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.