Poprosić o wycenę |
Dom Produktyp type silicon substrate producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

p type silicon substrate produkcja online

(81)
kupować TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Opór 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilanie/laser W w Internecie producent

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Opór 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilanie/laser W
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować 350 ± 25 μm Grubość Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o TTV ≤ 10 μm i rezystywności 0,1 Ω·cm w Internecie producent

350 ± 25 μm Grubość Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o TTV ≤ 10 μm i rezystywności 0,1 Ω·cm
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować Poziom P SI Typ 6 cali 4H SiC Półizolacyjne podłoże 150 mm w Internecie producent

Poziom P SI Typ 6 cali 4H SiC Półizolacyjne podłoże 150 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-24 10:21:46
kupować 2 ′′ 6-calowy N-typ GaN Na Sapphire Epitaxial Wafer dla urządzenia LED Laser PIN w Internecie producent

2 ′′ 6-calowy N-typ GaN Na Sapphire Epitaxial Wafer dla urządzenia LED Laser PIN
Kontakt

Czytaj więcej
2024-12-06 17:48:43
kupować Podłoże 350um 4H SiC w Internecie producent

Podłoże 350um 4H SiC
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-09 16:57:57
kupować 5*10mm2 A-face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny substrat GaN typu n Rezystywność < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser w Internecie producent

5*10mm2 A-face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny substrat GaN typu n Rezystywność < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-04 22:43:36
kupować 4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4&quot; P Grade Si Face w Internecie producent

4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4" P Grade Si Face
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 17:01:35
kupować Fioletowy laser GaN na krzemowym 2 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer w Internecie producent

Fioletowy laser GaN na krzemowym 2 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer
Kontakt

Czytaj więcej
2024-12-06 17:35:32
kupować 2 cali GaN na krzemowym Blue LD Epi wafer GaN niebieski laser na krzemowym w Internecie producent

2 cali GaN na krzemowym Blue LD Epi wafer GaN niebieski laser na krzemowym
Kontakt

Czytaj więcej
2024-12-06 17:35:32
kupować Bariera AlGaN 4 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer nitryd galiowy GaN-on-Si w Internecie producent

Bariera AlGaN 4 cali GaN na krzemowym HEMT Epi wafer nitryd galiowy GaN-on-Si
Kontakt

Czytaj więcej
2024-12-06 17:33:44
Page 6 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.