 |
Jednostronnie polerowane podłoże monokrystaliczne waflowe Ga2O32023-02-17 14:49:00 |
|
|
|
|
10x15mm2 UID Domieszkowany wolnostojący wafel Ga2O3 Pojedyncze polerowanie2022-09-27 16:57:32 |
|
|
Sn Doping Ga2O3 Wafel Podłoże monokrystaliczne 10x10mm22023-02-17 14:34:53 |
|
|
10x10mm Ga2O3 Wafel 10x15mm Podłoże monokrystaliczne2022-09-27 16:57:06 |
|
|
Podłoże jednokrystaliczne z domieszką Ga2O3 Fe 10x10mm2 Wolnostojące2022-10-09 10:34:19 |
|
|
Ra 0,3 nm Ga2O3 Pojedynczy kryształ Epitaksjalny wafel 2 cale 4 cale2023-02-17 14:34:04 |
|
|
0,6 mm 0,8 mm Ga2O3 Pojedyncze polerowanie podłoża monokrystalicznego2023-02-17 14:49:22 |
|
|
Półprzewodnikowe podłoże z monokrystalicznego tlenku galu Doping UID2022-10-09 10:30:43 |
