Poprosić o wycenę |
Dom Produktyga2o3 single crystal substrate producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

ga2o3 single crystal substrate produkcja online

(13)
kupić JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Jednokrystaliczny podłoże Produkty klasy pojedynczego polerowania w Internecie producent

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Jednokrystaliczny podłoże Produkty klasy pojedynczego polerowania
Kontakt

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Wolnostojący Ga2O3 z domieszką Sn Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie w Internecie producent

JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Wolnostojący Ga2O3 z domieszką Sn Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie
Kontakt

10x10mm2 (-201) Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Resistance Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Wolnostojący Ga2O3 Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie w Internecie producent

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Wolnostojący Ga2O3 Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie
Kontakt

10x10mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 1.53E+18Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers ... Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupić 0,6 mm 0,8 mm Ga2O3 Pojedyncze polerowanie podłoża monokrystalicznego w Internecie producent

0,6 mm 0,8 mm Ga2O3 Pojedyncze polerowanie podłoża monokrystalicznego
Kontakt

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupić FWHM w Internecie producent

FWHM
Kontakt

FWHM Czytaj więcej
2023-02-17 14:17:37
kupić Ra 0,3 nm Ga2O3 Pojedynczy kryształ Epitaksjalny wafel 2 cale 4 cale w Internecie producent

Ra 0,3 nm Ga2O3 Pojedynczy kryształ Epitaksjalny wafel 2 cale 4 cale
Kontakt

Ra≤0.3nm Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm Orientation (-201) 10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec... Czytaj więcej
2023-02-17 14:34:04
kupić Podłoże jednokrystaliczne z domieszką Ga2O3 Fe 10x10mm2 Wolnostojące w Internecie producent

Podłoże jednokrystaliczne z domieszką Ga2O3 Fe 10x10mm2 Wolnostojące
Kontakt

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Czytaj więcej
2022-10-09 10:34:19
kupić 10x10mm Ga2O3 Wafel 10x15mm Podłoże monokrystaliczne w Internecie producent

10x10mm Ga2O3 Wafel 10x15mm Podłoże monokrystaliczne
Kontakt

10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 4.13E+17Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating ... Czytaj więcej
2022-09-27 16:57:06
kupić Półprzewodnikowe podłoże z monokrystalicznego tlenku galu Doping UID w Internecie producent

Półprzewodnikowe podłoże z monokrystalicznego tlenku galu Doping UID
Kontakt

Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm FWHM Czytaj więcej
2022-10-09 10:30:43
kupić Jednostronnie polerowane podłoże Ga2O3 Grubość pojedynczego kryształu 0,6 mm 0,8 mm w Internecie producent

Jednostronnie polerowane podłoże Ga2O3 Grubość pojedynczego kryształu 0,6 mm 0,8 mm
Kontakt

Single side polished Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm 10x15mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0... Czytaj więcej
2023-02-17 14:30:35
Page 1 of 2|< 1 2 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.