Poprosić o wycenę |
Dom Produktyga2o3 substrate single crystal producent online
Wszystkie produkty

Płytka epitaksjalna GaN

(65)

Wafel epitaksjalny Sic

(39)

Wafel GaAs Epi

(15)

Podłoża diamentowe CVD

(15)

System szybkiego wyżarzania termicznego

(2)

Tester czujnika efektu Halla

(3)

Płytka z azotku glinu

(21)

Układ diody laserowej

(10)

Kryształ węglika krzemu

(12)

Wafel Ga2O3

(13)

Wafel silikonowy

(26)

Szafirowy Opłatek

(19)

Wzorzyste podłoża szafirowe

(10)

Uchwyt na wafle owe

(1)

Maszyna do krojenia wafli

(5)
Orzecznictwo
Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certyfikaty
Im Online Czat teraz

ga2o3 substrate single crystal produkcja online

(13)
kupować Jednostronnie polerowane podłoże Ga2O3 Grubość pojedynczego kryształu 0,6 mm 0,8 mm w Internecie producent

Jednostronnie polerowane podłoże Ga2O3 Grubość pojedynczego kryształu 0,6 mm 0,8 mm
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 14:30:35
kupować FWHM w Internecie producent

FWHM
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 14:17:37
kupować Półprzewodnikowe podłoże z monokrystalicznego tlenku galu Doping UID w Internecie producent

Półprzewodnikowe podłoże z monokrystalicznego tlenku galu Doping UID
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-09 10:30:43
kupować Podłoże jednokrystaliczne z domieszką Ga2O3 Fe 10x10mm2 Wolnostojące w Internecie producent

Podłoże jednokrystaliczne z domieszką Ga2O3 Fe 10x10mm2 Wolnostojące
Kontakt

Czytaj więcej
2022-10-09 10:34:19
kupować JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Jednokrystaliczny podłoże Produkty klasy pojedynczego polerowania w Internecie producent

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Jednokrystaliczny podłoże Produkty klasy pojedynczego polerowania
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Wolnostojący Ga2O3 z domieszką Sn Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie w Internecie producent

JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) Wolnostojący Ga2O3 z domieszką Sn Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Wolnostojący Ga2O3 Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie w Internecie producent

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Wolnostojący Ga2O3 Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie
Kontakt

Czytaj więcej
2025-04-27 11:43:51
kupować Jednostronnie polerowane podłoże monokrystaliczne waflowe Ga2O3 w Internecie producent

Jednostronnie polerowane podłoże monokrystaliczne waflowe Ga2O3
Kontakt

Czytaj więcej
2024-10-29 11:49:58
kupować Ra 0,3 nm Ga2O3 Pojedynczy kryształ Epitaksjalny wafel 2 cale 4 cale w Internecie producent

Ra 0,3 nm Ga2O3 Pojedynczy kryształ Epitaksjalny wafel 2 cale 4 cale
Kontakt

Czytaj więcej
2023-02-17 14:34:04
kupować 10x15mm2 UID Domieszkowany wolnostojący wafel Ga2O3 Pojedyncze polerowanie w Internecie producent

10x15mm2 UID Domieszkowany wolnostojący wafel Ga2O3 Pojedyncze polerowanie
Kontakt

Czytaj więcej
2022-09-27 16:57:32
Page 1 of 2|< 1 2 >|
O

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość Płytka epitaksjalna GaN dostawca. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.