Chiny Płytka epitaksjalna GaN

Gęstość defektów makro 0cm−2 Niezdopatowany SI-typ wolnostojący podłoże jednokrystaliczny GaN dla urządzeń RF 5*10mm2 M-Face

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

kokarda:- 10µm ≤ ŁUK ≤ 10µm
TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Opór 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilanie/laser W

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25 µm

Orientacja:Płaszczyzna (11-20) odchylona pod kątem w kierunku osi M 0 ±0,5° Płaszczyzna (11-20) odchylona pod k
10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Makro Defect Density 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Rezystywność 106 Ω·Cm Urządzenia RF Wafer

Wymiary:10 x 10,5 mm²

Grubość:350 ±25µm

TTV:≤ 10 µm
2 cali zielona dioda LED GaN na płytce krzemowej wymiar 520±10nm

Nazwa produktu:GaN z zieloną diodą LED na płytce krzemowej

Rozmiar:2 cale 4 cale

Struktura podłoża:20nm warstwa kontaktowa/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111)podłoża
10 X 10,5 mm2 C Twarz Niedopingowana N Typ wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Wymiary:10 x 10,5 mm²

Grubość:350 ±25µm
10 X 10,5 mm2 Wolno stojące podłoża GaN - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Nazwa produktu:Płytka epitaksjalna GaN

Wymiary:10 x 10,5 mm²

Grubość:350 ±25µm
4-calowy GaN z domieszką UID typu N na płytce szafirowej Rezystywność SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, płytka epitaksjalna PIN

Wymiary:100 ± 0,2 mm

Grubość/Grubość STD:4,5 ± 0,5 μm / < 3%

Orientacja:Płaszczyzna C (0001) odchylona od kąta w kierunku osi A 0,2 ± 0,1 °
4-calowy GaN typu P z domieszką Mg na szafirowym waflu SSP Rezystywność ~ 10Ω Cm LED Laser PIN Epitaksjalny wafel

Wymiary:100 ± 0,2 mm

Nazwa produktu:4-calowe podłoża GaN/Sapphire domieszkowane Mg

Typ przewodzenia:typu P
4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel

Nazwa produktu:4-calowe podłoża GaN/Sapphire domieszkowane Mg

Wymiary:100 ± 0,2 mm

Typ przewodzenia:typu P
2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF

Wymiary:50,8 ± 1 mm

Grubość:350 ± 25μm

Orientacja płaska:(1-100) ± 0,5˚, 16 ± 1 mm
2-calowy niebieski LED GaN na krzemowym waflu Longueur D'Onde Laser 455 ± 10 nm

Nazwa produktu:GaN z niebieską diodą LED na płytce krzemowej

Wymiary:2 cale

Grubość buforu AlGaN:400-600 nm
Wymiar 520 ± 10 nm 2-calowy zielony GaN LED na płytce krzemowej 20 nm Warstwa kontaktowa

Nazwa produktu:2-4-calowy zielony GaN LED na krzemie

Rozmiar:2 cale, 4 cale

Wymiar:520±10nm

Page 4 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Płytka epitaksjalna GaN

Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Chiny Płytka epitaksjalna GaN

Gęstość defektów makro 0cm−2 Niezdopatowany SI-typ wolnostojący podłoże jednokrystaliczny GaN dla urządzeń RF 5*10mm2 M-Face

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Opór 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilanie/laser W

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Makro Defect Density 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Rezystywność 106 Ω·Cm Urządzenia RF Wafer

2 cali zielona dioda LED GaN na płytce krzemowej wymiar 520±10nm

10 X 10,5 mm2 C Twarz Niedopingowana N Typ wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny

10 X 10,5 mm2 Wolno stojące podłoża GaN - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

4-calowy GaN z domieszką UID typu N na płytce szafirowej Rezystywność SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, płytka epitaksjalna PIN

4-calowy GaN typu P z domieszką Mg na szafirowym waflu SSP Rezystywność ~ 10Ω Cm LED Laser PIN Epitaksjalny wafel

4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel

2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF

2-calowy niebieski LED GaN na krzemowym waflu Longueur D'Onde Laser 455 ± 10 nm

Wymiar 520 ± 10 nm 2-calowy zielony GaN LED na płytce krzemowej 20 nm Warstwa kontaktowa

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP