Chiny Płytka epitaksjalna GaN

5*10mm2 M-Face bez domieszki typu N, wolnostojący GaN monokrystaliczny Rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

Orientacja:(10-11) kąt strugania w kierunku osi A 0 ±0,5° (10-11) kąt strugania w kierunku osi C - 1 ±0,2°
5*10mm2 A-face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny substrat GaN typu n Rezystywność < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

Orientacja:Płaszczyzna (11-20) odchylona pod kątem w kierunku osi M 0 ±0,5° Płaszczyzna (11-20) odchylona pod k
5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶Ω·Cm Urządzenie RF

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

Orientacja:(11-22) kąt strugania w kierunku osi M 0 ±0,5° (11-22) kąt strugania w kierunku osi C - 1 ±0,2°
5*10mm2 A-Face bez domieszki wolnostojący monokrystaliczny GaN typu SI wolnostojący rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF Wafel

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
10*10,5 mm2 GaN Pojedyncze podłoże kryształowe Płaszczyzna C (0001) Kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ± 0,15°

Wymiary:10 x 10,5 mm²

Grubość:350 ±25µm

Orientacja:Płaszczyzna C (0001) kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ±0,15°
Grubość 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN

Nazwa produktu:Wolnostojące podłoża GaN

Wymiary:10 x 10,5 mm²

Grubość:350 ±25µm
10*10,5 mm2 GaN Single Crystal Substrat Grubość 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm

Nazwa produktu:Płytka epitaksjalna GaN

Wymiary:10*10,5 mm²

Grubość:350 ±25µm
4-calowy GaN typu N z domieszką Si na płytce szafirowej Rezystywność SSP

Nazwa produktu:4-calowe podłoża GaN/Sapphire domieszkowane Si

Grubość/Grubość STD:4,5 ± 0,5μm /< 3%

Orientacja:Płaszczyzna C (0001) odchylona od kąta w kierunku osi A 0,2 ± 0,1 °
Podłoża GaN Ga Chropowatość powierzchni czołowej < 0,2 nm (polerowana) lub < 0,3 nm (polerowana i obróbka powierzchni do epitaksji)

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Wymiary:10 x 10,5 mm²

Grubość:350 ±25µm
Grubość bufora AlGaN 600nm 2-calowy GaN z niebieską diodą LED na płytce krzemowej

Wymiary:2 cale/4 cale

Grubość buforu AlGaN:600 mil morskich

Laser Longueur d’onde:455±10 nm
2 ′′ 6-calowy N-typ GaN Na Sapphire Epitaxial Wafer dla urządzenia LED Laser PIN

Rodzaj::Płaski Szafir

Polski:Jednostronnie polerowane (SSP) / Dwustronnie polerowane (DSP)

Wymiar:50,8±0,2 mm (2 cale)/100±0,2 mm (4 cale)/150 +0,2 mm (6 cali)

Page 4 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Płytka epitaksjalna GaN

Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Chiny Płytka epitaksjalna GaN

5*10mm2 M-Face bez domieszki typu N, wolnostojący GaN monokrystaliczny Rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser

5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenie RF

5*10mm2 A-face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny substrat GaN typu n Rezystywność < 0,05 Ω·cm Urządzenie zasilające/laser

5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu SI wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża > 10⁶Ω·Cm Urządzenie RF

5*10mm2 A-Face bez domieszki wolnostojący monokrystaliczny GaN typu SI wolnostojący rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF Wafel

10*10,5 mm2 GaN Pojedyncze podłoże kryształowe Płaszczyzna C (0001) Kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ± 0,15°

Grubość 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN

10*10,5 mm2 GaN Single Crystal Substrat Grubość 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm

4-calowy GaN typu N z domieszką Si na płytce szafirowej Rezystywność SSP

Podłoża GaN Ga Chropowatość powierzchni czołowej < 0,2 nm (polerowana) lub < 0,3 nm (polerowana i obróbka powierzchni do epitaksji)

Grubość bufora AlGaN 600nm 2-calowy GaN z niebieską diodą LED na płytce krzemowej

2 ′′ 6-calowy N-typ GaN Na Sapphire Epitaxial Wafer dla urządzenia LED Laser PIN

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP