Chiny Płytka epitaksjalna GaN

• 

  5*10mm2 SP-Face (20-21)/(20-2-1) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,1 Ω·cm

  Wymiary:5x10mm²

  Grubość:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  Skontaktuj się teraz
• 

  5*10mm2 A-Face, bez domieszki, wolnostojący GaN typu N, pojedynczy kryształ, rezystywność podłoża

  Wymiary:5x10mm²

  Grubość:350 ±25 µm

  Orientacja:Płaszczyzna (11-20) odchylona pod kątem w kierunku osi M 0 ±0,5° Płaszczyzna (11-20) odchylona pod k

  Skontaktuj się teraz
• 

  10 X 10,5 mm2 Wolnostojące podłoża GaN - 10 µm ≤ ŁUK ≤ 10 µm

  Nazwa produktu:Płytka epitaksjalna GaN

  Wymiary:10 x 10,5 mm²

  Grubość:350 ±25µm

  Skontaktuj się teraz
• 

  10*10.5mm2 C-Face domieszkowany Fe wolnostojący monokrystaliczny monokrystaliczny rezystywność podłoża typu SI typu SI > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF Wafel

  Wymiary:10 x 10,5 mm²

  Grubość:350 ±25µm

  TTV:≤ 10 µm

  Skontaktuj się teraz
• 

  10 X 10,5 mm2 C-Face Niedomieszkowany wolnostojący monokrystaliczny materiał GaN typu N

  Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu GaN

  Wymiary:10 x 10,5 mm²

  Grubość:350 ±25µm

  Skontaktuj się teraz