Dom Produkty

Płytka epitaksjalna GaN

Najlepsze produkty

Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Chiny Płytka epitaksjalna GaN

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaksjalny wafel Un Doped Si Type Gan Single Crystal Substrat

Nazwa produktu:Wolnostojące podłoże monokrystaliczne GaN

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm
Chropowatość powierzchni czołowej GaN na podłożu GaN z płytki krzemowej

Nazwa produktu:M Face Wolnostojące podłoża GaN

Wymiary:5 x 10,5 mm²

Grubość:350 ±25µm
M Face GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża GaN 325um TTV 10um

Nazwa produktu:Podłoże GaN

Wymiary:5 x 10,5 mm²

Grubość:350 ±25µm
Niedomieszkowane podłoże monokrystaliczne typu N GaN 5x10mm2 M Face

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm
Niedomieszkowany GaN epitaksjalny wafel M Wolnostojące podłoża GaN

Nazwa produktu:Wolnostojące podłoże GaN

Wymiary:5 x 10 mm²

Grubość:350 ±25µm
Grubość płytki z azotku galu GaN 325um - 375um Wolnostojący

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm
5 X 10 mm2 M Twarz GaN Epitaksjalna grubość płytki 325um 375um

Nazwa produktu:Podłoże GaN

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm
Półprzewodnikowy półprzewodnikowy azotek galu z pojedynczym kryształem TTV 10um

Wymiary:5 x 10 mm²

Grubość:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Wolnostojące podłoża GaN z epitaksjalnymi płytkami A Face GaN

Nazwa produktu:A face Wolnostojące podłoża GaN

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm
Grubość 370um 430um 2 cale GaN Epi Wymiary wafla 50mm

Nazwa produktu:2-calowe wolnostojące podłoża N-GaN

kokarda:≤ 20μm

Orientacja płaska:(1-100) ±0,1˚, 12,5 ±1 mm
625um do 675um 4-calowy niebieski LED GaN epitaksjalny wafel na szafirowym SSP Flat Sapphire

Nazwa produktu:4-calowy wafelek GaN-on-Sapphire z niebieską/zieloną diodą LED

Typ:Płaski Szafir

Grubość:650 ± 25μm
4-calowy GaN na szafirowym waflu Niebiesko-zielony wafel LED Płaskie szafirowe 100 mm

Nazwa produktu:4-calowy wafelek GaN-on-Sapphire z niebieską/zieloną diodą LED

Grubość:650 ± 25μm

Typ:Płaski Szafir

Page 2 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

kategorie wyszukiwania：

Płytka epitaksjalna GaN
Wafel epitaksjalny Sic
Wafel GaAs Epi
Podłoża diamentowe CVD
System szybkiego wyżarzania termicznego
Tester czujnika efektu Halla
Płytka z azotku glinu
Układ diody laserowej
Kryształ węglika krzemu
Wafel Ga2O3
Wafel silikonowy
Szafirowy Opłatek
Wzorzyste podłoża szafirowe
Uchwyt na wafle owe
Maszyna do krojenia wafli

Płytka epitaksjalna GaN

Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Chiny Płytka epitaksjalna GaN

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaksjalny wafel Un Doped Si Type Gan Single Crystal Substrat

Chropowatość powierzchni czołowej GaN na podłożu GaN z płytki krzemowej

M Face GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża GaN 325um TTV 10um

Niedomieszkowane podłoże monokrystaliczne typu N GaN 5x10mm2 M Face

Niedomieszkowany GaN epitaksjalny wafel M Wolnostojące podłoża GaN

Grubość płytki z azotku galu GaN 325um - 375um Wolnostojący

5 X 10 mm2 M Twarz GaN Epitaksjalna grubość płytki 325um 375um

Półprzewodnikowy półprzewodnikowy azotek galu z pojedynczym kryształem TTV 10um

Wolnostojące podłoża GaN z epitaksjalnymi płytkami A Face GaN

Grubość 370um 430um 2 cale GaN Epi Wymiary wafla 50mm

625um do 675um 4-calowy niebieski LED GaN epitaksjalny wafel na szafirowym SSP Flat Sapphire

4-calowy GaN na szafirowym waflu Niebiesko-zielony wafel LED Płaskie szafirowe 100 mm

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP