Dom Produkty

Płytka epitaksjalna GaN

Najlepsze produkty

Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Chiny Płytka epitaksjalna GaN

Płaski szafirowy 4-calowy niebieski wafel epitaksjalny GaN LED na szafirowym SSP

Nazwa produktu:4-calowy wafelek GaN-on-Sapphire z niebieską/zieloną diodą LED

Grubość:650 ± 25μm

Orientacja:Płaszczyzna C (0001) odchylona od kąta w kierunku osi M 0,2 ± 0,1°
Wolnostojące podłoża N GaN N Chropowatość powierzchni czołowej 0,5um do 1,5um

Nazwa produktu:2-calowe wolnostojące podłoża N-GaN

Wymiary:50,0 ±0,3 mm

Przedmiot:GaN-FS-CN-C50-SSP
100mm 4-calowy niebieski LED GaN epitaksjalny wafel na szafirowym SSP Grubość 5um - 6um

Typ:Płaski Szafir

Nazwa produktu:4-calowy wafelek GaN-on-Sapphire z niebieską/zieloną diodą LED

Polski:Jednostronnie polerowane (SSP) / Dwustronnie polerowane (DSP)
12,5 mm 2-calowy wolnostojący wafel N GaN Epi z domieszką Si

Nazwa produktu:2-calowe wolnostojące podłoża N-GaN

Wymiary:50,0 ±0,3 mm

Grubość:400 ± 30μm
4-calowy niebieski LED GaN Epitaksjalny wafel C Plane Flat Sapphire

Typ:Płaski Szafir

Nazwa produktu:4-calowy wafelek GaN-on-Sapphire z niebieską/zieloną diodą LED

Polski:Jednostronnie polerowane (SSP) / Dwustronnie polerowane (DSP)
Wolnostojący monokrystaliczny monokrystaliczny substrat GaN typu N typu A bez domieszki

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm
4-calowy GaN z domieszką UID typu N na płytce szafirowej Rezystywność SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, płytka epitaksjalna PIN

Wymiary:100 ± 0,2 mm

Grubość/Grubość STD:4,5 ± 0,5 μm / < 3%

Orientacja:Płaszczyzna C (0001) odchylona od kąta w kierunku osi A 0,2 ± 0,1 °
4-calowy GaN typu P z domieszką Mg na szafirowym waflu SSP Rezystywność ~ 10Ω Cm LED Laser PIN Epitaksjalny wafel

Wymiary:100 ± 0,2 mm

Nazwa produktu:4-calowe podłoża GaN/Sapphire domieszkowane Mg

Typ przewodzenia:typu P
4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel

Nazwa produktu:4-calowe podłoża GaN/Sapphire domieszkowane Mg

Wymiary:100 ± 0,2 mm

Typ przewodzenia:typu P
2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF

Wymiary:50,8 ± 1 mm

Grubość:350 ± 25μm

Orientacja płaska:(1-100) ± 0,5˚, 16 ± 1 mm
2-calowy niebieski LED GaN na krzemowym waflu Longueur D'Onde Laser 455 ± 10 nm

Nazwa produktu:GaN z niebieską diodą LED na płytce krzemowej

Wymiary:2 cale

Grubość buforu AlGaN:400-600 nm
Wymiar 520 ± 10 nm 2-calowy zielony GaN LED na płytce krzemowej 20 nm Warstwa kontaktowa

Nazwa produktu:2-4-calowy zielony GaN LED na krzemie

Rozmiar:2 cale, 4 cale

Wymiar:520±10nm

Page 3 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

kategorie wyszukiwania：

Płytka epitaksjalna GaN
Wafel epitaksjalny Sic
Wafel GaAs Epi
Podłoża diamentowe CVD
System szybkiego wyżarzania termicznego
Tester czujnika efektu Halla
Płytka z azotku glinu
Układ diody laserowej
Kryształ węglika krzemu
Wafel Ga2O3
Wafel silikonowy
Szafirowy Opłatek
Wzorzyste podłoża szafirowe
Uchwyt na wafle owe
Maszyna do krojenia wafli

Płytka epitaksjalna GaN

Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Chiny Płytka epitaksjalna GaN

Płaski szafirowy 4-calowy niebieski wafel epitaksjalny GaN LED na szafirowym SSP

Wolnostojące podłoża N GaN N Chropowatość powierzchni czołowej 0,5um do 1,5um

100mm 4-calowy niebieski LED GaN epitaksjalny wafel na szafirowym SSP Grubość 5um - 6um

12,5 mm 2-calowy wolnostojący wafel N GaN Epi z domieszką Si

4-calowy niebieski LED GaN Epitaksjalny wafel C Plane Flat Sapphire

Wolnostojący monokrystaliczny monokrystaliczny substrat GaN typu N typu A bez domieszki

4-calowy GaN z domieszką UID typu N na płytce szafirowej Rezystywność SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, płytka epitaksjalna PIN

4-calowy GaN typu P z domieszką Mg na szafirowym waflu SSP Rezystywność ~ 10Ω Cm LED Laser PIN Epitaksjalny wafel

4-calowe substraty GaN/Sapphire z domieszką Mg Rezystywność SSP ~ 10Ω cm Laser LED PIN Epitaksjalny wafel

2-calowe wolnostojące monokrystaliczne GaN z domieszką żelaza typu SI z domieszką żelaza Oporność podłoża > 10⁶ Ω·cm Urządzenia RF

2-calowy niebieski LED GaN na krzemowym waflu Longueur D'Onde Laser 455 ± 10 nm

Wymiar 520 ± 10 nm 2-calowy zielony GaN LED na płytce krzemowej 20 nm Warstwa kontaktowa

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP