Chiny Płytka epitaksjalna GaN

Płaski szafirowy 4-calowy niebieski wafel epitaksjalny GaN LED na szafirowym SSP

Nazwa produktu:4-calowy wafelek GaN-on-Sapphire z niebieską/zieloną diodą LED

Grubość:650 ± 25μm

Orientacja:Płaszczyzna C (0001) odchylona od kąta w kierunku osi M 0,2 ± 0,1°
Wolnostojące podłoża N GaN N Chropowatość powierzchni czołowej 0,5um do 1,5um

Nazwa produktu:2-calowe wolnostojące podłoża N-GaN

Wymiary:50,0 ±0,3 mm

Przedmiot:GaN-FS-CN-C50-SSP
100mm 4-calowy niebieski LED GaN epitaksjalny wafel na szafirowym SSP Grubość 5um - 6um

Typ:Płaski Szafir

Nazwa produktu:4-calowy wafelek GaN-on-Sapphire z niebieską/zieloną diodą LED

Polski:Jednostronnie polerowane (SSP) / Dwustronnie polerowane (DSP)
12,5 mm 2-calowy wolnostojący wafel N GaN Epi z domieszką Si

Nazwa produktu:2-calowe wolnostojące podłoża N-GaN

Wymiary:50,0 ±0,3 mm

Grubość:400 ± 30μm
4-calowy niebieski LED GaN Epitaksjalny wafel C Plane Flat Sapphire

Typ:Płaski Szafir

Nazwa produktu:4-calowy wafelek GaN-on-Sapphire z niebieską/zieloną diodą LED

Polski:Jednostronnie polerowane (SSP) / Dwustronnie polerowane (DSP)
Wolnostojący monokrystaliczny monokrystaliczny substrat GaN typu N typu A bez domieszki

Nazwa produktu:Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm
5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Opór 0,05 Ω·cm

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
350 ± 25 μm Grubość Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o TTV ≤ 10 μm i rezystywności 0,1 Ω·cm

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
SP-Face 11-12 Niedopingany N-typ Wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny Rezystywność 0,05 Ω·cm Gęstość defektów makro 0cm−2

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

Orientacja:(11-22) kąt strugania w kierunku osi M 0 ±0,5° (11-22) kąt strugania w kierunku osi C - 1 ±0,2°
Urządzenie zasilania 5x10mm2 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o rezystywności 0,1 Ω·cm i BOW w zakresie 10μm

Wymiary:5x10mm²

Orientacja:(11-22) kąt strugania w kierunku osi M 0 ±0,5° (11-22) kąt strugania w kierunku osi C - 1 ±0,2°

TTV:≤ 10µm
5x10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, podłoże jednokrystaliczne GaN o TTV ≤ 10μm, rezystywność 0,05 Ω·cm

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowane N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 0.1 Ω·cm Opór dla urządzenia zasilania

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

Orientacja:(10-11) kąt strugania w kierunku osi A 0 ±0,5° (10-11) kąt strugania w kierunku osi C - 1 ±0,2°

Page 3 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Płytka epitaksjalna GaN

Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Chiny Płytka epitaksjalna GaN

Płaski szafirowy 4-calowy niebieski wafel epitaksjalny GaN LED na szafirowym SSP

Wolnostojące podłoża N GaN N Chropowatość powierzchni czołowej 0,5um do 1,5um

100mm 4-calowy niebieski LED GaN epitaksjalny wafel na szafirowym SSP Grubość 5um - 6um

12,5 mm 2-calowy wolnostojący wafel N GaN Epi z domieszką Si

4-calowy niebieski LED GaN Epitaksjalny wafel C Plane Flat Sapphire

Wolnostojący monokrystaliczny monokrystaliczny substrat GaN typu N typu A bez domieszki

5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Opór 0,05 Ω·cm

350 ± 25 μm Grubość Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o TTV ≤ 10 μm i rezystywności 0,1 Ω·cm

SP-Face 11-12 Niedopingany N-typ Wolno stojący GaN Substrat jednokrystaliczny Rezystywność 0,05 Ω·cm Gęstość defektów makro 0cm−2

Urządzenie zasilania 5x10mm2 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, pojedynczy kryształowy podłoże GaN o rezystywności 0,1 Ω·cm i BOW w zakresie 10μm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowany, wolno stojący, N-typ, podłoże jednokrystaliczne GaN o TTV ≤ 10μm, rezystywność 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face 10-11 Niedopingowane N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 0.1 Ω·cm Opór dla urządzenia zasilania

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP