Dom Produkty

Płytka epitaksjalna GaN

Najlepsze produkty

Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Chiny Płytka epitaksjalna GaN

Wafery epitaksyalne GaN niezbędne do produkcji chipów wysokonapięciowych o wysokiej częstotliwości

Rodzaj::Płaski Szafir

Polski:Jednostronnie polerowane (SSP) / Dwustronnie polerowane (DSP)

Wymiar:50,8±0,2 mm (2 cale)/100±0,2 mm (4 cale)/150 +0,2 mm (6 cali)
625um do 675um 4 Inch Blue LED gallium nitride GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire

Nazwa produktu:4-calowy wafelek GaN-on-Sapphire z niebieską/zieloną diodą LED

Rodzaj:Płaski Szafir

Gęstość:650 ± 25μm
GaN 2-calowy nitrid galium jednokrystaliczny

Minimalne zamówienie:1

Szczegóły pakowania:Opakowanie wewnętrzne: pudełko do pakowania wafli, opakowanie zewnętrzne: opakowanie kartonowe, wbud

Zasady płatności:T/T
Jednokrystaliczna płytka Gan Epi Substrat z azotkiem galium 4 cali

Minimalne zamówienie:1

Szczegóły pakowania:Opakowanie wewnętrzne: pudełko do pakowania wafli, opakowanie zewnętrzne: opakowanie kartonowe, wbud

Zasady płatności:T/T
4-calowy dopingowany wolnostojący substrat GaN azotyn galliowy

Minimalne zamówienie:1

Szczegóły pakowania:Opakowanie wewnętrzne: pudełko do pakowania wafli, opakowanie zewnętrzne: opakowanie kartonowe, wbud

Zasady płatności:T/T
2-calowy GaN z zieloną diodą LED na płytce krzemowej o wymiarach 520 ± 10 nm

Nazwa produktu:GaN z zieloną diodą LED na płytce krzemowej

Rozmiar:2 cale 4 cale

Struktura podłoża:20nm warstwa kontaktowa/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111)podłoża
5*10mm2 SP-Face (20-21)/(20-2-1) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilające

Wymiary:5x10mm²

Orientacja:(11-22) kąt strugania w kierunku osi M 0 ±0,5° (11-22) kąt strugania w kierunku osi C - 1 ±0,2°

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

Orientacja:(11-22) kąt strugania w kierunku osi M 0 ±0,5° (11-22) kąt strugania w kierunku osi C - 1 ±0,2°
5*10mm2 M-Face bez domieszki typu SI wolnostojący monokrystaliczny GaN rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Płytki urządzeń RF

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

kokarda:- 10µm ≤ ŁUK ≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża

Wymiary:5x10mm²

Grubość:350 ±25µm

Orientacja:(10-11) kąt strugania w kierunku osi A 0 ±0,5° (10-11) kąt strugania w kierunku osi C - 1 ±0,2°

Page 5 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

kategorie wyszukiwania：

Płytka epitaksjalna GaN
Wafel epitaksjalny Sic
Wafel GaAs Epi
Podłoża diamentowe CVD
System szybkiego wyżarzania termicznego
Tester czujnika efektu Halla
Płytka z azotku glinu
Układ diody laserowej
Kryształ węglika krzemu
Wafel Ga2O3
Wafel silikonowy
Szafirowy Opłatek
Wzorzyste podłoża szafirowe
Uchwyt na wafle owe
Maszyna do krojenia wafli

Płytka epitaksjalna GaN

Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Niedomieszkowana płytka epitaksjalna z GaN

Podłoże GaN na powierzchni czołowej C

Chiny Płytka epitaksjalna GaN

Wafery epitaksyalne GaN niezbędne do produkcji chipów wysokonapięciowych o wysokiej częstotliwości

625um do 675um 4 Inch Blue LED gallium nitride GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire

GaN 2-calowy nitrid galium jednokrystaliczny

Jednokrystaliczna płytka Gan Epi Substrat z azotkiem galium 4 cali

4-calowy dopingowany wolnostojący substrat GaN azotyn galliowy

2-calowy GaN z zieloną diodą LED na płytce krzemowej o wymiarach 520 ± 10 nm

5*10mm2 SP-Face (20-21)/(20-2-1) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,1 Ω·cm Urządzenie zasilające

5*10mm2 SP-Face (11-12) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża

5*10mm2 M-Face bez domieszki typu SI wolnostojący monokrystaliczny GaN rezystywność podłoża > 10⁶ Ω·Cm Płytki urządzeń RF

5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża < 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face (10-11) Niedomieszkowany wolnostojący GaN typu N wolnostojący monokrystaliczny rezystywność podłoża

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP