Chiny Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Sitemap

Płytka epitaksjalna GaN

• Wolnostojący wafel epitaksjalny U / SI GaN 50,8 mm 350 um
• SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um
• 5x10mm2 GaN płytka epitaksjalna bez domieszki typu SI
• Wafel z monokrystalicznego azotku galu GaN typu SI

Wafel epitaksjalny Sic

• 47,5 mm ± 1,5 mm płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm równolegle do<11-20>±1°
• 6 cali 4H SiC Podłoże N Typ P SBD Klasa 350μm
• Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm
• Podłoże SiC poziomu P 2 cale do urządzeń zasilających i urządzeń mikrofalowych

Wafel GaAs Epi

• Półprzewodnikowy związek 2-calowy GaAs Epi Wafel GaAs Si Wafel UKAS
• 18 mm GaAs Si Wafer 2-calowy GaAs Niedomieszkowane substraty VGF S-C-N
• JDCD10-001-005 2 Inch GaAs ((111) Zn Doped Substraty
• JDCD10-001-004 2 Inch GaAs (111) Si Doped Substraty

Podłoża diamentowe CVD

• Od 70 do 120 PGa Podłoża diamentowe CVD Single Crystal Gradacja elektroniczna
• 3x3mm2 0,3mm Elektroniczny monokrystaliczny diament 225nm do dalekiej podczerwieni
• JDCD05-001-004 3 * 3 mm2 * 0,5 mm Diament monokrystaliczny klasy elektronicznej, zawartość N
• JDCD05-001-007 Podłoża diamentowe CVD

Płytka z azotku glinu

• AIN na chropowatości płytki z azotku glinu Ra
• Gruba folia 2um 3um AIN na szafirowym waflu 2-calowy półizolacyjny
• 1-calowy wafel z azotku glinu AlN z pojedynczym kryształem 400 μm klasy S / P / R
• 2-calowy półizolacyjny AIN Sapphire Single Crystal Wafer C Plane

Układ diody laserowej

• Dioda laserowa 94um Wydajność nachylenia chipa 1,0 W / A Długość fali 915 nm
• 0.5A Diody laserowe Chip Drukowanie laserowe Długość fali 915nm Montaż powierzchniowy

Kryształ węglika krzemu

• JDZJ01-001-008 4 i 6-calowy kryształ SiC
• JDZJ01-001-007 Kryształ zarodkowy węglika krzemu
• JDZJ01-001-005 SiC Seed Crystal S Klasa 6 "S Klasa φ153 ± 0,5 mm
• JDZJ01-001-004 SiC Ingot Crystal 6 "klasa P

Wafel Ga2O3

• Jednostronnie polerowane podłoże monokrystaliczne waflowe Ga2O3
• 0,6 mm 0,8 mm Ga2O3 Pojedyncze polerowanie podłoża monokrystalicznego
• JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Doped Wolnostojący Ga2O3 Podłoże monokrystaliczne Klasa produktu Pojedyncze polerowanie
• JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Doped Free Standing Ga2O3 Jednokrystaliczny podłoże Produkty klasy pojedynczego polerowania

Wafel silikonowy

• Typ N Sb Typ N Jako wafel krzemowy 6 cali 8 cali
• CZ Silicon Semiconductor Wafel 380um 525um 625um
• 12-calowy wafel krzemowy P Typ Bor N Typ Phos
• Silikonowy 8-calowy wafel Powierzchnia wykończona P/E P/P E/E G/G

Szafirowy Opłatek

• Wysoka czystość Al2O3 > 99,995% Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
• Orientacja kryształów C/M0.2 50mm Szafirowe podłoże Wafel Grubość 420um
• Typ R 50 mm szafirowa grubość płytki 420 μm OF długość (mm) 16 chipów LED
• Optoelektronika Polerowanie Sapphire Crystal Wafer Typ R

Wzorzyste podłoża szafirowe

• A Plane Patterned Sapphire Substraty BOW -8 - 0μm Krawędź okrągła
• Wzorzyste 2-calowe szafirowe podłoża Podłoże chipowe LED 50,80 mm