Skontaktuj się teraz
Szukaj
Zalecane produkty
Video
Jakość 2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący fabryka

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Płytka epitaksjalna GaN
Najlepszą cenę
Video
Jakość 375 um GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża U-GaN SI-GaN fabryka

375 um GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża U-GaN SI-GaN

Płytka epitaksjalna GaN
Najlepszą cenę
Video
Jakość Wafel półprzewodnikowy z azotku galu 325um 375um C Samolot fabryka

Wafel półprzewodnikowy z azotku galu 325um 375um C Samolot

Płytka epitaksjalna GaN
Najlepszą cenę
Jakość SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um fabryka

SP Face 5 X 10mm2 Podłoże z azotku galu 350um

Płytka epitaksjalna GaN
Najlepszą cenę

Jakość Płytka epitaksjalna GaN & Wafel epitaksjalny Sic fabryka

Video
Jakość Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF fabryka

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

Wymiary: 50,8 ± 1 mm

Grubość: 350 ±25µm

kokarda: - 10µm ≤ ŁUK ≤ 10µm

Skontaktuj się z nami
Video
Jakość Wafel półprzewodnikowy z azotku galu 325um 375um C Samolot fabryka

Wafel półprzewodnikowy z azotku galu 325um 375um C Samolot

Nazwa produktu: Podłoże pojedynczego kryształu GaN

Wymiary: 50,8 ± 1 mm

Grubość: 350 ±25µm

--> Skontaktuj się z nami
Jakość Wafel z monokrystalicznego azotku galu GaN typu SI fabryka

Wafel z monokrystalicznego azotku galu GaN typu SI

Wymiary: 5x10mm²

Nazwa produktu: Wolnostojące podłoża GaN

Grubość: 350 ±25µm

Skontaktuj się z nami
Jakość M Face GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża GaN 325um TTV 10um fabryka

M Face GaN Epitaksjalny wafel Wolnostojące podłoża GaN 325um TTV 10um

Nazwa produktu: Podłoże GaN

Wymiary: 5 x 10,5 mm²

Grubość: 350 ±25µm

Skontaktuj się z nami
Video
Jakość 5x10mm2 Sp Face Gan Epitaksjalny wafel Un Doped Si Type Gan Single Crystal Substrat fabryka

5x10mm2 Sp Face Gan Epitaksjalny wafel Un Doped Si Type Gan Single Crystal Substrat

Nazwa produktu: Wolnostojące podłoże monokrystaliczne GaN

Wymiary: 5x10mm²

Grubość: 350 ±25µm

Skontaktuj się z nami
Jakość 10*10,5 mm2 GaN Pojedyncze podłoże kryształowe Płaszczyzna C (0001) Kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ± 0,15° fabryka

10*10,5 mm2 GaN Pojedyncze podłoże kryształowe Płaszczyzna C (0001) Kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ± 0,15°

Wymiary: 10 x 10,5 mm²

Grubość: 350 ±25µm

Orientacja: Płaszczyzna C (0001) kąt odchylenia w kierunku osi M 0,35 ±0,15°

Skontaktuj się z nami
Jakość 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Epitaksjalny wafel SiC Forma kryształu 4H fabryka

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Epitaksjalny wafel SiC Forma kryształu 4H

Średnica: 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Nazwa produktu: Wafel epitaksjalny Sic

Orientacja powierzchni: Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°

Skontaktuj się z nami
Video
Jakość Polityp Brak Dozwolony Wafel epitaksjalny SiC P-MOS P-SBD D Grade fabryka

Polityp Brak Dozwolony Wafel epitaksjalny SiC P-MOS P-SBD D Grade

Nazwa produktu: Wafel epitaksjalny Sic

Podstawowa długość płaska: 47,5 mm ± 1,5 mm

Średnica: 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Skontaktuj się z nami
Video
Jakość Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm fabryka

Wafel epitaksjalny 4H SiC 0,015Ω•cm—0,025Ω•Cm ≤4000/cm²150,0 mm +0mm/-0,2mm

Nazwa produktu: Wafel epitaksjalny Sic

Średnica: 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Orientacja powierzchni: Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°

Skontaktuj się z nami
Jakość 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC 47,5 mm ± 1,5 mm fabryka

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC 47,5 mm ± 1,5 mm

Nazwa produktu: Wafel epitaksjalny Sic

Orientacja powierzchni: Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°

Podstawowa długość płaska: 47,5 mm ± 1,5 mm

Skontaktuj się z nami
Jakość Wafel epitaksjalny 4H SiC Klasa P-MOS 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm fabryka

Wafel epitaksjalny 4H SiC Klasa P-MOS 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Nazwa produktu: Wafel epitaksjalny Sic

Średnica: 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Orientacja powierzchni: Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°

Skontaktuj się z nami
Video
Jakość 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC Bez wtórnego płaskiego 3 mm fabryka

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Wafel epitaksjalny SiC Bez wtórnego płaskiego 3 mm

Nazwa produktu: Wafel epitaksjalny Sic

Średnica: 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm

Orientacja powierzchni: Off-Axis:4°w kierunku <11-20>±0,5°

Skontaktuj się z nami
Więcej produktów
JDZJ01-001-006 Kryształ nasion SiC klasy S 6" Φ153±0,5mm
JDCD05-001-003 10 * 10 mm2 * 0,3 mm Diament monokrystaliczny klasy elektronicznej, zawartość N
JDCD05-001-004 3 * 3 mm2 * 0,5 mm Diament monokrystaliczny klasy elektronicznej, zawartość N
JDCD05-001-005 5 * 5 mm2 * 0,5 mm Diament monokrystaliczny klasy elektronicznej, zawartość N
JDCD05-001-006 10 * 10 mm2 * 0,5 mm Diament monokrystaliczny klasy elektronicznej, zawartość N
JDCD05-001-007 Podłoża diamentowe CVD
JDCD07-001-001 4-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS
JDCD07-001-002 5-calowa płytka epitaksyalna SOI do przetwarzania MEMS
JDCD07-001-003 6-calowy epitaksjalny wafel SOI do przetwarzania MEMS
JDCD07-001-004 7-calowa płytka epitaksyalna SOI do przetwarzania MEMS
JDCD08-001-002 2-calowa płaska płytka z szafiru
JDCD08-001-003 2 Inch M Plane Sapphire Substrate Wafer
JDCD08-001-004 2-calowy R-Plane Sapphire Substrate Wafel
JDCD08-001-005 4-calowy wafel R-Plane Sapphire Substrate
JDCD08-001-006 6-calowy wafel C-Plane Sapphire Substrate
JDCD08-001-007 8-calowy wafel z szafirowym podłożem C-Plane
1-calowy wafel z azotku glinu AlN z pojedynczym kryształem 450um
25,4 mm 1 cal AlN Pojedynczy kryształ 400um 2H Forma kryształu
1-calowy monokrystaliczny szafirowy wafel z azotku glinu AlN 400um
JDCD02-001-004 10 * 10 mm2 AlN Pojedynczy kryształ 400 ± 50 μM Klasa S / P / R
China Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
KIM JESTEŚMY
Wprowadzenie
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. jest firmą specjalizującą się w szerokopasmowych technologiach półprzewodnikowych związanych z materiałami, sprzętem, testowaniem i usługami analitycznymi oraz doradztwem technicznym.Założona w 2020 roku, jesteśmy spółką zależną w całości należącą do Suzhou Nanowin Technology Co., Ltd. Nasz zespół ma głębokie nagromadzenie technologiczne i bogate zasoby klientów w branży półprzewodników i jest zaangażowany w wnoszenie wartości do łańcucha przemys...
Profil QC
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. to firma zajmująca się zaawansowanymi technologiami, zajmująca się opracowywaniem technologii wytwarzania wysokiej jakości azotkowych materiałów półprzewodnikowych.Kluczową zaletą firmy GaNova jest niezrównana wiedza na temat materiałów oraz posiadanie niezbędnych patentów na podłoża GaN i technologie wzrostu.GaNova oferuje standardowe i niestandardowe szablony wolnostojących podłoży GaN i GaN/szafiru o bardzo niskich gęstościach dyslokacji, które ...
Zobacz więcej >>
Skontaktuj się z nami
Adres :
Budynek 11, Lane 1333, Jiangnan Avenue, Changxing Town, Chongming District, Szanghaj
Czas pracy :
9：10-18:00 (Czas w Pekinie)
Telefon służbowy :

+8613372109561(Praca Czas)

86-18962520616(Czas wolny od pracy)

e-mail :
baixiwen2022@ganova.com.cn
China Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Zostaw wiadomość.
Wysokiej jakości produkty i usługi sprawiły, że coraz więcej klientów wybiera nas.
O
O nas Wycieczka po fabryce Kontrola jakości Skontaktuj się z nami Nowości Sitemap

Płytka epitaksjalna GaN

2-calowy epitaksjalny wafel GaN C Face Fe domieszkowany SI typu wolnostojący

Podłoża GaN domieszkowane Fe Rezystywność > 10⁶ Ω·Cm Urządzenia RF

2-calowe wolnostojące podłoża SI-GaN

Wafel epitaksjalny Sic

Fazowana płytka epitaksjalna SiC 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Forma kryształu 4H SiC Epitaksjalny wafel Fazowanie krawędzi wafla 350,0um ± 25,0um

Pojedynczy kryształ SiC Epitaksjalny wafel C-Face Optyczny polski Si-Face CMP
Polityka prywatności  | Chiny dobre. Jakość Płytka epitaksjalna GaN Sprzedawca. 2023-2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Wszystkie. Prawa zastrzeżone.